【中止】【東京会場開催セミナー】半導体表面におけるウェットプロセスの基礎 〜洗浄・加工から極微表面計測、産業界における最近の話題まで〜

セミナー趣旨

コロナ禍を経て、我が国の半導体業界が再び、大きく盛り上がっています。半導体デバイスの微細化や三次元化が一層進む中、高い性能や信頼性を持つ半導体デバイスを製造し続けるためには、基板となる半導体の表面状態（汚染や構造）の高度な制御が必須です。
純水や薬液をベースとしたウェットプロセスは、高品質の半導体表面を安定的に実現する上で、欠かすことができない基盤技術であり、ウェット洗浄を始めとして、その重要性は益々増しています。また、半導体製造プロセス中でウェットプロセスが関係する材料や製造装置に関する産業は、我が国が大きな強みを維持している分野でもあります。
ウェットプロセスの性能向上には、固液界面現象を支配するサイエンスの理解が不可欠です。これには、ウェットプロセスを経た半導体表面を原子・分子レベルで分析できる計測・評価技術も必要です。
さらに今世紀に入り、金属アシストエッチングと呼ばれる、半導体表面における新たなマイクロ・ナノ加工法が登場しました。ウェットエッチングとドライエッチングに次ぐ、第三のエッチング法として、近年、注目が高まっています。高いアスペクト比を持つ深掘り加工が溶液中で実現できる点が特徴です。
本講義では、半導体業界の最近の動向を紹介すると共に、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から応用事例までを解説・紹介します。奮ってご参加ください！

セミナープログラム

１．はじめに〜最近の半導体業界の動向を含めて〜
２．半導体表面におけるウェットプロセス
　2-1. Si表面の研磨技術（Chemical Mechanical Polishing (CMP)）
　2-2. Si表面の洗浄技術
　2-3. 多様な半導体材料と諸特性

３．ウェットプロセスを経た半導体表面の分析・評価法の基礎
　3-1. 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
　3-2. 表面形状を観察するための測定技術（光干渉法）
　3-3. ナノスケール領域の表面構造に関する評価技術
　3-4. 半導体表面上の薄膜評価技術

４．H終端化Si表面の原子構造制御
　4-1. Si表面の面方位と原子構造
　4-2. フッ酸浸漬後のH終端化Si(111)表面の原子構造
　4-3. フッ酸浸漬後のH終端化Si(100)表面の原子構造
　4-4. 超純水リンスがH終端化Si(100)表面の原子構造に与える影響

５．触媒アシストエッチングによる半導体表面のマイクロ・ナノ加工
　5-1. 半導体プロセスにおける微細加工
　5-2. 触媒アシストエッチングとは
　5-3. 金属アシストエッチングのアプリケーション

６．先端研究事例の紹介

【質疑応答、名刺交換】

セミナー講師

大阪大学　大学院工学研究科　物理学系専攻　精密工学コース　教授　博士（工学）　有馬 健太 

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

※マスク着用、手指消毒の励行にて実施いたします 。