SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム
| 開催日 |
12:30 ～ 16:30 締めきりました |
|---|---|
| 主催者 | （株）Ｒ＆Ｄ支援センター |
| キーワード | 半導体技術 無機材料 炭素系素材 |
| 開催エリア | 全国 |
| 開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
半導体表面形態制御技術とそのメカニズムについて詳しく解説！
半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できます！
【アーカイブ配信受講：1/23（火）～1/30（火）】での受講もお選びいただけます。
セミナー講師
早稲田大学 基幹理工学部電子物理システム学科 教授 博士（工学）乗松 航 氏【ご専門】低次元材料【ご略歴】 2007年 早稲田大学 博士(工学) 2007年 名古屋大学 エコトピア科学研究所 研究員 2008年 名古屋大学 エコトピア科学研究所 助教 2011年 名古屋大学 大学院工学研究科 助教 2018年 名古屋大学 大学院工学研究科 准教授 2023年 早稲田大学 基幹理工学部 教授https://www.nano.sci.waseda.ac.jp/https://www.youtube.com/channel/UClgKZeVTJUMc0LPQ3BfJmhg
セミナー受講料
49,500円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、 今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。 メールまたは郵送でのご案内となります。 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。
受講について
Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順
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セミナー趣旨
半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素（SiC）でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。 本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、SiCを用いたグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。
受講対象・レベル
・SiCを中心とする半導体関連（デバイス、結晶成長など）の研究者・技術者。・結晶表面のダイナミクスに関する基礎研究者。・上記に興味のある若手研究者・技術者。
必要な予備知識
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
習得できる知識
・半導体表面形態制御技術とそのメカニズムを理解できる。・半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できる。
セミナープログラム
1. 半導体の結晶構造と表面形態 1-1. 半導体の結晶構造とバンドギャップ 1-2. SiCの結晶構造3C,4H,6H-SiC 1-3. SiCパワーデバイス 1-4. 半導体表面のステップ・テラス構造 1-5. SiCの結晶学的方位とステップ・テラス 1-6. 結晶成長と表面形態
2. 半導体表面形態制御方法 2-1. 機械研磨 2-2. 化学機械研磨（CMP） 2-3. 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去 2-4. 水素エッチング 2-5. ステップバンチング現象 2-6. SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム (1) エネルギー論的効果 (2) 速度論的効果 (3) 弾性論的効果
3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング 3-1. SiC熱分解法によるグラフェン・カーボンナノチューブの成長 3-2. SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係 3-3. SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係 3-4. ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
4. SiC表面のステップアンバンチング現象 4-1. 加熱雰囲気によるSiC表面の変化 4-2. SiC表面のステップバンチング 4-3. SiC表面のステップアンバンチング 4-4. アンバンチングメカニズムの考察 4-5. ステップアンバンチング現象の応用展開 (1) SiC半導体製造プロセスへの適用 (2) 他の半導体でのアンバンチング現象
【質疑応答】
キーワード：半導体,デバイス,ステップバンチング,SiC表面,結晶構造,セミナー,講演