自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
| 開催日 |
10:30 ～ 16:30 締めきりました |
|---|---|
| 主催者 | サイエンス＆テクノロジー株式会社 |
| キーワード | 電子デバイス・部品 自動車技術 半導体技術 |
| 開催エリア | 全国 |
| 開催場所 | オンライン配信セミナー |
■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■
★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説！★ 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは？ 半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。
【特典】■アーカイブ配信このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。Live受講に加えて、アーカイブでも一定期間視聴できます。※視聴期間：2023年10月17日(火)～10月23日(月)まで
セミナー講師
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額27,500円)
【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】１名申込みの場合：40,150円 ( E-Mail案内登録価格 38,170円 )※WEBセミナーには「アーカイブとオンデマンド」が含まれます。※1名様でお申込み場合、キャンペーン価格が自動適用になります。※他の割引は併用できません。
受講について
Zoom配信の受講方法・接続確認
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
- 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- セミナー中、講師へのご質問が可能です。
- 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
セミナー趣旨
習得できる知識
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
セミナープログラム
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？ 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事 1-2 パワー半導体の種類と基本構造 1-3 パワーデバイスの適用分野 1-4 最近のトピックスから 1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？ 1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長 1-7 パワーデバイス開発のポイント２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題 2-1 パワーデバイス市場の現在と将来 2-2 MOSFET特性改善を支える技術 2-3 IGBT特性改善を支える技術 2-4 IGBT薄ウェハ化の限界 2-5 IGBT特性改善の次の一手 2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに 2-7 シリコンIGBTの実装技術３．SiCパワーデバイスの現状と課題 3-1 半導体デバイス材料の変遷 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？ 3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか 3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？ 3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋 3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題 3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発 3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか 3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？ 3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術４．GaNパワーデバイスの現状と課題 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？ 4-2 GaNデバイスの構造 4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場 4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？ 4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？ 4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化 4-7 GaN-HEMTの課題 4-8 縦型GaNデバイスの最新動向５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状 5-1 酸化ガリウムの特徴は何 5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況６．SiCパワーデバイス実装技術の進展 5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの 5-2 銀または銅焼結接合技術 5-3 SiC-MOSFETモジュール技術７．まとめ □質疑応答□