CVDプロセスの反応解析、メカニズムとプロセス最適化

★良質な薄膜を実現するために装置内の反応機構や現象を正しく理解する!

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    セミナー趣旨

    化学気相堆積(CVD)法は、様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法である。これは、流れ、熱、反応物質の輸送だけでなく、気相・表面の化学反応が複雑に絡む現象であるため、難しく見えて来る。そこでCVD装置で起きている化学反応を解析するために、反応工学の基礎と熱流体解析法をはじめに紹介します。原子層堆積(ALD)法についても考え方は同様なので、ALD装置の流れ解析についても紹介します。次に、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えること、などを紹介します。最後に、CVDプロセスを最適化するために考えるべきことについて議論する予定です。

    習得できる知識

    1.CVD法とは何か
    2.CVD法の基本現象
    3.熱流体と反応場の捉え方
    4.気相化学種から反応を推定する方法
    5.膜質から反応を推定する方法
    6.製膜結果の関数化表現
    7.副生成物の挙動と影響
    8.最適化の考え方

    セミナープログラム

    1.CVD序論
     1.1 原理
     1.2 分類:励起手段(熱、光・レーザー、プラズマなど)、圧力(減圧、常圧)、前駆体

    2.反応工学の基礎
     2.1 反応速度式の考え方
     2.2 押出流れと完全混合流れ
     2.3 設計方程式の考え方

    3.反応の場(流れと熱)
     3.1 CVD装置内流れの可視化観察例
     3.2 装置の形と機能(基板回転の役割、ノズルの効果、など)
     3.3 ALD装置内のガス流れ(解析例)

    4.表面反応・気相反応
     4.1 気相反応・表面反応
     4.2 ドーピングの反応

    5.その場観察
     5.1 四重極質量分析(QMS)による反応解析
     5.2 圧電性結晶振動子(LCM・QCM)による反応解析例
     5.3 赤外分光法

    6.膜質を基にした反応機構解析
     6.1 XPSによる表面分析と反応解析への応用
     6.2 SIMSによる組成分析と反応解析への応用
     6.3 TEMによる表面観察と反応解析への応用

    7.データ整理
     7.1 データ整理方法(多変量解析)
     7.2 リアクタのパラメータと基板温度
     7.3 プラズマ反応(平行平板)における観察例&解析例

    8.副生成物
     8.1 サセプタ表面堆積物の影響
     8.2 反応容器壁の堆積物
     8.3 排ガス管内堆積物の分析と扱い
     8.4 副生成物を減らす方法

    9.最適化の考え方

    10.まとめ

    【質疑応答】

    セミナー講師

    反応装置工学ラボラトリ 代表/横浜国立大学 名誉教授 博士(工学) 羽深 等 氏

    【略歴】
    新潟大学理学部化学科 理学士(1979年3月)
    京都大学大学院理学研究科化学専攻 理学修士(1981年3月)
    広島大学大学院工学研究科 博士(工学)(1996年9月)
    信越化学工業株式会社 1981年4月~2000年3月
    横浜国立大学工学部物質工学科 助教授 2000年4月~2002年3月
    横浜国立大学大学院工学研究院 教授 2002年4月~2022年3月
    横浜国立大学名誉教授 2022年4月~
    反応装置工学ラボ 代表 2022年4月~

    セミナー受講料

    1名につき55,000円(消費税込・資料付き)
    〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕

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    受講料

    55,000円(税込)/人

    ※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

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    10:30

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    ※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

    ※銀行振込、会場での支払い

    開催場所

    全国

    主催者

    キーワード

    薄膜、表面、界面技術   プラズマ技術   半導体技術

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