【中止】自動車用の電動化に向けた！パワー半導体におけるパッケージ技術とSiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向＜２日間コースセミナー＞

セミナー講師

セミナー受講料

82,500円( S&T会員受講料78,370円 )
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詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 82,500円 (2名ともS&T会員登録必須／１名あたり定価半額41,250円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

セミナー趣旨

【1日目】
　最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境対策や電力消費削減対策に貢献する技術であり、我が国が世界をリードできる分野である。本セミナーでは、パワー半導体のパッケージ技術全般から、さらに自動車（EV／HEV）への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術について詳細に述べる。また、次世代パワー半導体として注目されているSiCについても紹介する。
【2日目】
　近年は、電気自動車（EV）の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
　EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
　最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

習得できる知識

【1日目】
大電力・高耐圧を扱うパワー半導体の実装技術(接合・封止・絶縁・放熱技術)および信頼性技術。
また、パワーエレクトロニクスと半導体の関係などの知識。
【2日目】
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム