パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向

セミナー趣旨

習得できる知識

半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する知識

セミナープログラム

１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
　1）SiCの基礎と物性
　　i) 身近なSiC
　　ii) ワイドギャップ半導体と特徴
　　iii) SiCウェハ
　　iiii) 他半導体材料とSiCの違い
　2）SiCパワー半導体への応用
　　i) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　ii) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
　3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　i) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　ii) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　iii) SiCウェハ開発に対する今後の期待

２．SiC単結晶製造技術
　1）SiC単結晶の合成・成長方法
　　i) SiCの合成
　　ii) SiC単結晶の量産技術
　　iii) 各種SiC単結晶成長技術の特徴
　　iiii) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
　2）結晶多形と特徴
　　i) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
　　ii) 多形制御技術
　3）結晶欠陥と制御
　　i) SiC単結晶の結晶欠陥と影
　　ii) SiC単結晶の欠陥評価技術
　　iii) SiC単結晶の欠陥抑制技術
　4）大口径結晶の成長
　　i) SiC単結晶の口径拡大成長技術
　　ii) 大口径化がもたらす効果と技術課題
　5）n/p型の伝導度制御
　　i) SiC単結晶の伝導度制御
　　ii) SiC単結晶の低抵抗化技術

３.SiCウェハ加工技術
　1）SiCのウェハ加工
　　i) SiCウェハ加工工程と技術課題
　2) ウェハ切断工程
　　i) SiC単結晶の切断技術
　　ii) 切断工程の高速化技術
　　iii) 切断工程の課題と新しい切断技術
　3）ウェハ研削工程
　　i) SiCウェハの研削加工
　　ii) 研削加工の高速・鏡面化技術
　　iii) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
　4) ウェハ研磨工程
　　i) SiCウェハの研磨加工
　　ii) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　iii) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　5）CMP工程
　　i) SiCウェハのCMP加工
　　ii) CMPの高速化技術
　　iii) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　6) 加工変質層と評価
　　i) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　ii) 加工変質層の評価技術
　　iii) 加工変質層の抑制技術
　7) 大口径化対応
　　i) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　ii) 大口径化対応へ向けた解決策の検討

　　□質疑応答□

キーワード：SiC、パワー半導体、ウェハ製造技術、単結晶成長、ウェハ加工、結晶欠陥、加工変質層、材料評価、開発動向、市場動向

セミナー講師

(国研)産業技術総合研究所　つくば西事業所　エネルギー・環境領域
　先進パワーエレクトロニクス研究センター　ウェハプロセスチーム　研究チーム長　博士(工学)　加藤 智久　氏
 
【略歴】
1999年４月より工業技術新電子技術総合研究所にてSiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発に従事。 2010年度 NEDO「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト」ウェハテーマリーダー、 2014年度 内閣府 ＳＩＰ『次世代パワーエレクトロニクス研究開発計画』ウェハテーマリーダーを経て、 2019年より産総研TPEC（ティーペック）材料分科会長として、民活型大型共同研究でのSiCウェハ開発を開始し、現在に至る。

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