【中止】高効率・低コストな深紫外LEDの基礎と開発・市場動向と社会実装に向けた課題

★新型コロナ禍で、手軽で効率的な殺菌やウイルス不活性化の手段として深紫外LEDは期待され、市場は急速に拡大。
★サファイア上AlNテンプレート作製技術から深紫外LED作製技術を説明、さらに深紫外LEDを用いた殺菌等の社会実装の試みを紹介!

セミナー趣旨

 新型コロナ禍で、手軽で効率的な殺菌やウイルス不活性化の手段として深紫外LEDは期待され、市場は急速に拡大しています。深紫外LEDの普及の鍵となる低コスト化と高出力化技術を三重大学のグループが開発しました。スパッタ法と高温アニールで世界最高品質のサファイア上AlN膜を作製し、それを基板とすることで、世界最高レベルの発光出力と効率の達成に成功しました。
 本講座では、高品質で低コスト化を可能にしたサファイア上のAlNテンプレート作製技術から深紫外LED作製技術を説明し、さらに深紫外LEDを用いた殺菌等の社会実装の試みを紹介します。 

習得できる知識

・深紫外LEDのマーケティングの結果
・サファイア上への高品質AlN膜の作製技術
・MOVPE法によるAlGaN成長技術
・深紫外LEDを用いた大腸菌、黄色ブドウ球菌の殺菌
・深紫外LEDを用いた殺菌の農業、水産業分野での活用

セミナープログラム

  1. 深紫外LEDの市場
    1. 紫外光の活用分野と市場規模
    2. ウイズ/ポスト・コロナ禍における紫外LEDの市場実績と予測
    3. 深紫外LED出力単価(円/mW)の実績と予測
  2. 深紫外LEDによる菌の不活化
    1. 深紫外LEDを用いた殺菌実験
    2. 黄色ブドウ球菌、大腸菌を用いた280nmと265nmLEDによる殺菌実験
    3. 深紫外LEDを用いた三重県農業研究所、水産研究所の実験紹介
  3. サファイア上への「三宅方式」による高品質なAlN作製
    1. スパッタ法によるAlN堆積とその結晶性評価
    2. Face-to-face法によるAlN膜の高温アニール
    3. 「三宅方式」による高品質AlN作製のメカニズム
  4. AlGaN成長でデバイス作製
    1. AlNテンプレートの貫通転位密度低減と内部量子効率向上
    2. 「三宅方式」AlNテンプレート上へのMOVPE法によるAlGaN成長
    3. 高Al組成AlGaNへの電極形成
  5. 世界最高基準の発光効率を実現
    1. 有機・無機ハイブリッド樹脂レンズを用いた光取り出し効率の向上
    2. 265nmLEDの外部量子効率ベンチマーク

【質疑応答】

セミナー講師

三重大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻 専攻長 教授 博士(工学)三宅 秀人 氏

■経歴
1988 三重工学部電気工学科 助手
1994 博士(工学)(大阪大学)
1997 三重工学部電気電子工学科 助教授
2001 オットフォンゲーリケ大学マグデブルグ 客員研究員
2001 カルフォルニア大学サンタバーバラ校 客員研究員
2007 三重大学大学院工学研究科 准教授
2015 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 教授
2017-2020 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 研究科長
2022 三重大学大学院工学研究科 専攻長・教授

■専門および得意な分野・研究
半導体工学、結晶成長、オプトエレクトロニクス
窒化物半導体のエピタキシャル成長
I-III-VI2族半導体の結晶成長と物性評価

■本テーマ関連の専門学協会等での委員会活動
応用物理学会 会員 フェロー
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 理事
日本学術振興会 R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会 運営委員
日本学術振興会 結晶加工と評価技術第145委員会

セミナー受講料

【1名の場合】39,600円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。


※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

開催日時


13:30

受講料

39,600円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込

開催場所

全国

主催者

キーワード

半導体技術   電子デバイス・部品   薄膜、表面、界面技術

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半導体技術   電子デバイス・部品   薄膜、表面、界面技術

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