EUVリソグラフィの最新動向とレジスト、光源の開発

60,500 円(税込)

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開催日 10:00 ~ 16:15 
締めきりました
主催者 株式会社 技術情報協会
キーワード 半導体技術   電子デバイス・部品   高分子・樹脂材料
開催エリア 全国
開催場所 ZOOMを利用したLive配信※会場での講義は行いません

EUV技術による微細化追求はどこまで続くのか?
レジスト、マスク、光源、ペリクルなど、
各部材の微細化への対応状況を探る!

セミナー講師

1. 渡邊 健夫 氏 
       兵庫県立大学 学長特別補佐 高度産業科学技術研究所所長 EUVリソグラフィー研究開発センター長 教授 理学博士 
2. 藤森 亨 氏 
       富士フイルム(株) エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート 
3. 東口 武史 氏
       宇都宮大学 工学部 教授 博士(工学) 

セミナー受講料

1名につき60,500円(消費税込・資料付き) 
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

受講について

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    お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。ご了承ください。
  • 当日は講師への質問をすることができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。
  • 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、
    録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
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セミナープログラム

<10:00〜12:00>

1.EUVリソグラフィーの最新動向と課題解決への技術開発

兵庫県立大学 渡邊 健夫 氏  

【講座概要】
  兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 極端紫外線リソグラフィー研究開発センターでは1996年よりEUVリソグラフィーの基盤技術開発に精力的に取り組んで来ました。これまで4つの国家プロジェクトに約20年間参画・先導し、また、多くの国内外の企業と共同研究を進めて参りました。
  EUVリソグラフィー(EUVL)技術は2020年よりスマートフォン、タブレット等のロジックデバイスの量産技術として本格的な量産技術として採用されており、EUVLの先端研究の現状、課題について解説します。また、次世代の半導体の量産に向けて多くのEUVL技術課題があり、この課題解決に向けては黎明期での開発の内容を知った上で課題可決に取り組む必要があります。このため、EUVL黎明期を解説するとともに、課題解決に向けた取り組み内容を紹介します。
  一方で、我が国の経済活性化には半導体技術の進展が不可欠であり、併せて国の安全保障と密接に絡む技術です。この意味においても、半導体前半工程である半導体微細加工技術が果たす役割が未だに強い状況です。世界に於ける日本の半導体技術覇権に向けた問題点・課題についても触れたいと存じます。
  以上の内容を鑑みた講演内容になっていますので、ご参加頂けると幸いです。

1.半導体国際ロードマップの紹介
2.微細加工技術の必要性とその効果
3.なぜEUVリソグラフィーが必要か?
4.EUVリソグラフィーの黎明期について
5.EUVレジスト、マスク、ペリクル技術の現状とそれらの技術課題
6.EUVリソグラフィー課題克服に向けた取り組み
7.Beyond EUVリソグラフィー技術開発に向けた取り組みの紹介
8.世界に於ける日本の半導体技術覇権に向けての問題点・課題
9.まとめ
【質疑応答】

<13:00〜14:30>

2.EUVリソグラフィ用フォトレジストの開発動向と要求特性

富士フイルム(株) 藤森 亨 氏  

【本講座で学べること】
・フォトレジスト開発従事者による材料面からみたリソグラフィの歴史の理解
・国家プロジェクトにおける要素検討状況の理解
・先端EUVレジストの課題とその解決検討状況の理解
【講座概要】
  昨今、私たちは新たなデジタル社会を迎え入れようとしている。世の中で頻繁にその言葉を耳にするIOT、AI、Society 5.0等の発展に対し、さらなる電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化が求められている。そのために不可欠なのがリソグラフィの微細化であり、その実現にはフォトレジスト材料の開発が必須である。フォトレジスト材料の微細化の歴史および究極の微細化であるEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発について解説する。

1.私たちの世の中を取り巻く環境の変化
 1.1 アナログからデジタルへ
 1.2 電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化の例
2.リソグラフィ微細化の歴史
 2.1 ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
 2.2 EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィの延命
 2.3 ArF液浸リソグラフィ延命の切札、富士フイルムによるNegative-tone imaging (NTI) 技術の発明
3.EUVリソグラフィ
 3.1 EUVリソグラフィの歴史
 3.2 国家プロジェクトであるEIDEC(EUVL基盤開発センター)での要素開発紹介
   EUVレジスト実用化に至るまでの長い道のりの振り返り
  (アウトガス問題の解決と世界アライン、メタルレジストの開発)
 3.3 EUVレジストの課題、最新動向、技術開発の紹介
   ストカスティック(確率論的)因子低減と量産適用に対する開発
【質疑応答】

<14:45〜16:15>

3.EUVリソグラフィ用光源の開発動向と微細化への対応

宇都宮大学 東口 武史 氏

【講座概要】
  AI、 IoT、 EV、次世代ディスプレイ、スマートシティー、省エネなどSDGsを意識した活動が盛んになってきました。COVID-19の影響からかスマートフォンやノートパソコンも活況。いまや「半導体」という言葉を「半導体不足」という言葉とともに聞かない日はありません。「産業のコメ」と呼ばれた半導体素子はいまや「産業のブレイン」と言われるまでになりました。EUVリソグラフィー登場し、半導体素子の高性能化・省エネ化が加速しています。本講座では、EUVリソグラフィーの露光と光源について平易にお話する予定です。

1.EUVリソグラフィーとは
 1.1 半導体素子の回路線幅の微細化と高集積化について最近の動向を簡単に
 1.2 露光用光源とは
2.EUV光源について
 2.1 EUV光源の原理
 2.2 各種EUV光源
3.レーザー生成プラズマEUV光源
 3.1 光源の物理と技術
 3.2 装置構成
4.Beyond EUV (BEUV) 光源
 4.1 beyond (BEUV) 光源とは?
 4.2 BEUV光源の現状と課題
5.まとめ
6.今後の展開
【質疑応答】