自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | 電子デバイス・部品 半導体技術 自動車技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | Live配信セミナー ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで
パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額27,500円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
※1名様でLive配信/WEBセミナーをお申込みの場合、上記キャンペーン価格が自動適用になります。
※他の割引は併用できません。
受講について
Zoom配信の受講方法・接続確認
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
- 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- セミナー中、講師へのご質問が可能です。
- 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
≫ テストミーティングはこちら
特典
- ※出席参加者に限り、アーカイブ:録画映像(5日間視聴可)も付いています。繰り返しの視聴学習が可能!
(※原則編集は行いません。3営業日以内を目途にZoomのURLまたは当社サイトのマイページからご視聴いただけます。)
配布資料
- PDFデータでの配布のみ(印刷可/編集は不可)
セミナー趣旨
2021年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
習得できる知識
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
セミナープログラム
- パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- IGBT開発のポイント
- IGBT特性改善を支える技術
- 薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiCウェハができるまで
- SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC-MOSFET最近のトピックス
- SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
- SiCデバイス信頼性向上のポイント
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- GaN-HEMTの課題
- GaNパワーデバイスの弱点はなにか
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
- SiCパワーデバイス高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- パワーモジュール動作中の素子破壊例
- SiCモジュールに必要な実装技術
- まとめ
□質疑応答□