ALD法の基礎と良好な膜特性を得るための最適プロセス設計【Live配信セミナー】

ALDプロセスにおける成膜速度と
膜質改善に向けたポイントを解説

セミナー講師

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授，副研究科長 博士（工学） 霜垣 幸浩 氏

セミナー受講料

1名につき55,000円（税込、資料付）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円（税込）〕

受講について

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セミナー趣旨

　近年、ALDによる薄膜作製が注目を集めている。ALDプロセスは原理的に薄膜の均一性や膜厚制御性・再現性に優れている。
また、装置形状や装置内の流れなどを最適化しなくても、このような優れた特性を得やすいプロセスである。
しかし、同じく化学反応を利用する薄膜形成法であるCVDと比較すればトータルスループットは劣ることが多い。
　本講座では、CVD/ALDプロセスを理解し、最適プロセス設計を目指すための速度論を中心に基礎的な講義を行う。
　ALDプロセス開発を行う方、ALDを利用して薄膜合成を検討されている方の参考となれば幸いである。

セミナープログラム

1. 薄膜作製の基礎と応用概論
   1. 薄膜の種類と用途
   2. 薄膜作製の分類　−ウェットプロセス、ドライプロセス（PVD/CVD）−
   3. CVDプロセスの活用事例
   4. 半導体集積回路の微細化と薄膜材料プロセスへの要求
   5. ALDプロセスの原理、特徴、応用用途、開発歴史
   6. ALE（Atomic Layer Etching）の原理と特徴
2. 薄膜作製の速度論
   1. 真空プロセス、真空蒸着
   2. 速度論と平衡論
   3. 輸送現象論　−反応律速と拡散律速—
   4. 表面反応機構・速度論
   5. 反応モデルの考え方　−素反応モデルと総括反応モデルー
   6. CVDプロセス解析手法　−Micro/Macro Cavity法、ステップカバレッジ解析—
3. ALDプロセスの原理と最適化
   1. ALDプロセスの理想と現実
   2. ALD Windowと最適化方針
   3. ALDプロセスのスループット
   4. ALDプロセス解析実例
   5. インキュベーションサイクル
   6. 選択ALDとALEの活用
4. まとめ

【質疑応答】