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<基礎から学ぶ!> ALDプロセス(原子層堆積法)による薄膜合成
開催日 |
12:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | 株式会社 情報機構 |
キーワード | 半導体技術 化学技術 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【大田区】大田区産業プラザ(PiO) |
交通 | 【京急】京急蒲田駅 |
原子を積んで膜をつくる。注目の成膜技術「ALD(Atomic Layer Deposition)」を
基礎から学べる半日速習セミナーです!
講師
山形大学 大学院理工学研究科 教授 博士(工学) 廣瀬 文彦 先生
セミナーポイント
■はじめに
原子層堆積法は、ナノの酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。原子層堆積法で所望の膜を得るためには、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。講演者はこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究、そしてその応用研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした製膜メカニズムの理解の達成を目標とします。
■受講対象
この分野にご興味ある方でしたらどなたでも
■本セミナーに参加して修得できること
(1)ALDの基礎的理解
(2)高品質化のためのプロセス設計
(3)プロセス開発のための評価技術
(4)山形大学開発の3D-CoolALD
セミナー内容
1.原子層堆積法の基礎
1.1 原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)とは
1.2 原子層堆積の開発の歴史
1.3 熱ALDの事例紹介
1.4 プラズマを用いたALD
2.原子層堆積における表面反応機構
2.1 原料分子の吸着反応
-物理吸着と化学吸着
-ラングミュアー型解離吸着
2.2 飽和吸着のモニタリング手法:QCM (Quartz Crystal Microbalance)
2.3 プリカーサーの選択
2.4 吸着表面の酸化反応
2.5 酸化種の選択
2.6 酸化物表面と水の反応
2.7 酸化物表面と水素脱離反応
2.8 フォーミングアニールと界面層の問題
2.9 原子層堆積プロセスにおける分析評価手段
-X線光電子分光
-分光エリプソメトリー
3.山形大学開発 3D-CoolALD (室温三次元成膜ALD) の解説
3.1 SiO2の室温形成事例とペットボトル・アクリル樹脂コーティング
3.2 生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
3.3 Al2O3の室温形成事例と防蝕 (防食) コーティング応用
3.4 HfO2の室温形成事例
4.最近のトレンド
4.1 Fluid Bed Zone法
4.2 ナノ微粒子室温ALD
-微粒子にALDを行う際の問題点
-微粒子ナノテクノロジーにおけるALDの応用例