ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

社会背景や、他の半導体と比較した際の特徴などから、
開発の動向と今後の可能性を探る！

講師

金沢大学　ナノマテリアル研究所　教授(リサーチプロフェッサー)　博士(工学)　徳田 規夫 氏

受講料

1名につき50，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）　
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき45，000円（税抜）〕

プログラム

【講演ポイント】
　ダイヤモンドは、その見た目の美しさから宝石としてはもちろんのこと、物質中最高の硬度や
熱伝導率を有することから切削工具やヒートシンクとしても広く知られており、近年では航空機等にも
用いられている炭素繊維強化プラスチック（CFRP）用の加工工具やパワーデバイス用の
ヒートスプレッダ／ヒートシンク材として期待されている。
　一方で、ダイヤモンドは絶縁破壊電界やキャリア移動度も極めて高いことから、
理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料であり、
日本やフランス、ドイツ、アメリカを中心にパワーデバイス応用・社会実装に向けた
研究が行われている。今回、ダイヤモンドパワーデバイスに関して、
昨今の研究開発状況・課題について、また、我々が世界で初めて実現した
反転層ダイヤモンドMOSFETについても合わせて紹介する。　

1.ダイヤモンドの魅力と必要性
2.ダイヤモンド半導体研究の歴史と最近の動向
3.ダイヤモンドウェハに関する研究開発動向
　3-1 成長技術
　　3-1-1 高温高圧合成
　　3-1-2 プラズマＣＶＤ
　　3-1-3 熱フィラメントＣＶ
　3-2 不純物ドーピング技術
　3-3 加工技術
　　3-3-1 エッチング
　　3-3-2 研磨、カット、スライス

4.ダイヤモンドダイオードに関する研究開発動向
　4-1 金属と半導体ダイヤモンドの接触
　4-2 ＳＢＤ
　4-3 ＰＮＤ（ＰＩＮＤ）
　4-4 Ｓｈｏｔｔｋｙ-ＰＮＤ（ＳＰＮＤ）

5.ダイヤモンドトランジスタに関する研究開発動向
　5-1 ＢＪＴ
　5-2 ＪＦＥＴ
　5-3 ＭＥＳＦＥＴ
　5-4 ＭＯＳＦＥＴ
　　5-4-1 表面伝導層チャネルＭＯＳＦＥＴ
　　5-4-2 Ｄｅｅｐ　Ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ　ＭＯＳＦＥＴ
　　5-4-3 反転層チャネルＭＯＳＦＥＴ

6.その他のダイヤモンドデバイスに関する研究開発動向
　6-1 量子デバイス・センサ
　6-2 真空スイッチ
　6-3 その他

【質疑応答・名刺交換】