以下の類似セミナーへのお申込みをご検討ください。
酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向
半導体の発熱メカニズムおよび熱設計・シミュレーション技術
xEVのPCU(パワーコントロールユニット)と自動車用パワーエレクトロニクスの技術動向
~EV / HEV用~主機モータとPCUの冷却・放熱技術
EVモータ/インバータの小型・高出力化と高効率化技術★Webセミナー
SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向
パワーモジュールパッケージの高耐熱化・低熱抵抗化の技術動向
<カーボンニュートラルへ電動化のコア技術>電動化(EV駆動等)モータと回路基板の高電圧化・高周波化・熱対策に向けた、樹脂材料開発と絶縁品質評価技術
GaNパワーデバイスの開発動向と高耐圧、低抵抗化
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
---|---|
主催者 | 株式会社 技術情報協会 |
キーワード | 電気・電子技術 半導体技術 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【品川区】技術情報協会セミナールーム |
交通 | 【JR・地下鉄】五反田駅 【東急】大崎広小路駅 |
★縦型GaN、GaN MOSFET、GaNonSiにおける特性改善を探る
受講料
1名につき55,000円(消費税抜き・昼食・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50,000円(税抜)〕
< 10:30〜12:10>
1.縦型GaNダイオードの作製と耐圧向上について
名古屋大学 出来 真斗 氏
【講演ポイント】
縦型GaNデバイスの耐圧維持構造およびエピ成長技術に関して名古屋大学における取組に関して報告する。
MOSFETの導通損失低減のためには、GaNエピ膜の高耐圧化が必要であるが、イオン注入された不純物の活性化が困難なGaNにおいて、プロセスダメージを軽減しつつ、デバイス構造を最適化する必要がある。本研究室では深堀メサ構造を有するGaN-PNDを設計し、非破壊降伏を達成したのでその要素技術に関して報告する。
また、m面GaN縦型デバイスに関しても、電気特性の面方位依存性を報告する。
1.GaN-PNDにおける耐圧維持構造
1.1 シミュレーションによる耐圧設計
1.2 エミッション顕微鏡を用いたアバランシェ降伏の観察
2.m面GaNにおけるエピ成長技術
2.1 MOCVD法により成長したm面GaN基板上エピ膜
2.2 m面GaN-SBDにおける電気特性評価
【質疑応答・名刺交換】
<13:00〜14:40>
2.GaN バルク基板上GaN MOSFETの特性と特性改善に向けた取り組み
富士電機(株) 上野 勝典 氏
【講演ポイント】
最近のGaN単結晶基板上のMOS特性の開発状況について説明する。
1.低濃度アクセプタ濃度制御
2.制御されたエピ上のMOSFET特性
3.界面層のMOSFET特性への影響
4.Mgイオン注入技術とMOSFET特性
5.イオン注入技術を用いた縦型MOSFET
【質疑応答・名刺交換】
<14:50〜16:30>
3.GaN on Siパワーデバイスが切り拓く革新的パワーエレクトロニクス
東北大学 遠藤 哲郎 氏
【講演ポイント】
近年求められる省エネには、インバーターやコンバータといった電力変換回路の高効率化が非常に重要である。
本講演では、NEDO戦略的省エネルギー技術革新プログラムにおける「GaN(窒化ガリウム)双方向電力変換器の研究開発」中での
取り組みである、GaN on Siデバイスの高耐圧化技術の開発を中心に紹介する。
1.技術背景
1.1 Siパワーデバイスの限界
1.2 GaNパワーデバイスへの期待と課題
2.GaN on Siデバイスの基盤技術と要求特性
2.1 ノーマリーオフ化
2.2 低オン抵抗化
2.3 高耐圧化
3.GaN on Si技術による双方向電力変換器の応用事例とその利点
3.1 ダイレクト変換電源の動作実証
4.遠藤研究室での取り組み
4.1 GaN on Siデバイスを用いたモータ駆動用インバータ回路
5.まとめ
【質疑応答・名刺交換】