CMPの基礎から応用まで~研磨メカニズムから応用工程、装置、消耗材(パッド、スラリー、ドレッサ)、プロセス・材料評価方法等~
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | 株式会社 情報機構 |
キーワード | 半導体技術 生産工学 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【品川区】きゅりあん |
交通 | 【JR・東急・りんかい線】大井町駅 |
CMP工程の各種メカニズムを解き明かす!
網羅的・体系的にわかりやすく解説しますので、技術部門以外の方も理解できます
セミナー講師
(株)ISTL 代表取締役 博士(工学) 礒部 晶 先生
セミナー受講料
1名43,000円 + 税、(資料・昼食付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき33,000円 + 税
※消費税につきましては講習会開催日の税率にて課税致します。
*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
セミナー趣旨
CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。
当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用されるなくてはならない
プロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、
LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。
CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が
多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも
徐々に明らかにされてきています。
本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や
消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。
なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の
方もぜひご参加ください。
受講対象・レベル
・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方
・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方
・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方
習得できる知識
①CMPの理論
・材料除去メカニズム
・平坦化メカニズム
・パッド表面変化メカニズム(ドレッシングとグレージング)
②CMPに用いられる装置
・装置構成の変遷と研磨方式
・ヘッドの変遷
③CMPに用いられる消耗材料
・研磨パッドの基礎
・スラリーの基礎
・ドレッサーの基礎
④CMPの応用工程
・半導体製造工程 ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
・基板製造 シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
⑤評価方法
・パッドの評価方法
・スラリーの評価方法
・ドレッサーの評価方法
セミナープログラム
- CMPとは
- CMPの構成要素
- CMP装置
- CMP装置の構成
- 様々なCMP方式
- 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御
- APCと終点検出技術
- CMPの目的〜平坦化
- 平坦化の分類
- 平坦化メカニズム
- 消耗材料の基礎及び評価方法
- スラリーの基礎及び評価方法
- 砥粒の種類〜アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒〜
- ILD用スラリーの特徴
- W用スラリーの特徴
- Cu用スラリーの特徴
- 砥粒の形状と研磨特性について
- スラリーによる平坦性の向上
- スラリーの評価方法
- 研磨パッドの基礎及び評価方法
- 研磨パッドの種類と特徴
- パッド物性と研磨特性の関係
- 研磨パッドの評価・解析方法
- パッド表面と平坦性・スクラッチへの影響
- ドレス条件と表面状態
- スラリーの基礎及び評価方法
- CMP応用工程の実際
- CuCMP
- Cu配線の必要性
- CuCMPの必要性
- CuCMPのポイント
- CuCMPプロセスの実際と特有の課題
- 最新のトランジスタ周りCMP
- トランジスタの性能向上
- HKRMG
- Fin-FET
- ウエハ接合技術とCMP工程
- CMPのプロセス評価方法
- 各種基板の製造工程とCMPの役割
- Si
- サファイア
- SiC
- GaN
- LT/LN
- CMP後の洗浄について
- 洗浄ブラシ
- 洗浄に用いられる薬液
- 乾燥方法
- CuCMP
- 研磨メカニズム?:パッドの表面変化とドレッシング/グレージングのメカニズム
- パッド表面状態変化モデル
- 圧力とコンタクトエリアの関係
- 砥粒サイズ・砥粒濃度と表面粗さの関係
- モデルによる量産現場の事象説明とその改善
- 研磨メカニズム?:CMPの材料除去メカニズム
- 砥粒による材料除去メカニズムの変遷
- 新しい材料除去モデル
- 新しい材料除去モデルの検証
- 新しい材料除去モデルに基づく開発のヒント
<質疑応答>