HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用－不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開－

セミナー趣旨

受講対象・レベル

・これから強誘電体材料、強誘電体デバイス、半導体メモリ等に従事される方
・HfO2系強誘電体に興味をお持ちの方

習得できる知識

・強誘電体の基礎とHfO2系強誘電体の特徴
・半導体メモリの動作原理
・HfO2系強誘電体のエレクトロニクス応用

セミナープログラム

１．強誘電体の基礎
　1.1 強誘電体の電気的特性
　1.2 分極反転機構
 
２．強誘電体の不揮発性メモリ応用
　2.1 半導体メモリの基本構成
　2.2 キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
　2.3 強誘電体に要求される物性
 
３．HfO₂系強誘電体
　3.1 歴史的背景
　3.2 従来の強誘電体材料との比較
　3.3 CMOSプロセスとの親和性
 
４．HfO₂系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
　4.1 HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法
　4.2 結晶相制御の重要性
 
５．HfO₂系強誘電体のデバイス応用例
　5.1 強誘電体ゲートトランジスタ
 
６．不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
　6.1 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
　6.2 ニューロモルフィックコンピューティングへの応用

　□ 質疑応答 □

セミナー講師

セミナー受講料

49,500円

2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額24,750円)
3名で74,250円 (3名ともE-Mail案内登録必須​) ※4名以上の場合も1名あたり24,750円で受講できます。

1名申込みの場合： 受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　　定価：本体36,000円＋税3,600円
　　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　　※申込の際、備考欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】と記載のうえお申込みください。
　　　※他の割引は併用できません。

主催者

開催場所

備考

特典
■ライブ受講に加えて、見逃し配信でも１週間視聴できます
【見逃し配信の視聴期間】2026年4月21日(火)～4月27日(月)まで
※このセミナーは見逃し配信付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
※ライブ配信を欠席し見逃し視聴のみの受講も可能です。
※動画は未編集のものになります。
※視聴ページは、開催翌営業日の午前中には、マイページにリンクを設定する予定です。

配布資料
PDFテキスト(印刷可・編集不可)
　※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信
ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）