高輝度・高解像度マイクロLEDディスプレイに向けたGaN

【対象者】

　半導体マイクロLEDに興味を持つ研究者、技術者

【セミナーで得られる知識】

　マイクロLEDの基礎知識、高輝度・高解像度のマイクロLEDディスプレイの実現に必要な結晶成長技術、デバイスプロセス技術、実装技術についての知識

【趣旨】

　半導体、特に窒化物半導体マイクロLEDは、次世代のウェアラブル型情報機器のための低消費電力、高輝度、高解像度のディスプレイとして期待されている。しかし、マイクロLEDの実現のためには、多くの技術的課題を解決しなければならない。本セミナーでは、マイクロLEDディスプレイの実現に解決しなければならない課題を整理するとともに、これらの課題の解決に有望な技術について解説する。

【プログラム】

1．背景:マイクロLEDの特徴、アプリケーション

2．現在のマイクロLED技術の課題と開発の状況

　2-1　チップサイズ縮小に伴う諸問題
　　　　内部量子効率の低下、光取出し効率、配光制御（指向性）
　2-2　低コスト、高速実装問題
　2-3　赤色波長帯における効率低下
　2-4　緑・赤色チップの波長シフト問題

3．エバネッセント光の結合効果を利用した指向性マイクロLED

　3-1　エバネッセント光の結合効果
　3-2　指向性マイクロLEDの提案
　3-3　InGaAs/GaAsリッジ型LEDによる実証

4．GaN指向性マイクロLEDの理論的検討

　4-1　構造の最適化、発光効率（光取出し効率）の見積
　4-2　ディスプレイ輝度の試算
　4-3　RGBモノリシック集積の可能性

5．GaN指向性マイクロLEDの実現に向けて

　5-1　選択成長方式
　5-2　トップダウン方式、低損傷プラズマエッチング技術
　5-3　準大気圧プラズマMOCVDによる高効率赤色LED実現の可能性

6.　まとめ　

【講師】

　王　学論 氏
　産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ、GaN光デバイスチーム チーム長/
　名古屋大学、未来材料・システム研究所、特任教授【講師経歴】
　1993年9月　京都大学大学院 工学研究科博士課程 電気工学専攻修了、工学博士
　1993年10月　（旧）通産省工業技術院 電子技術総合研究所に入所【研究歴】
　MOCVD法による化合物半導体結晶成長、光物性および光デバイスの研究に従事【所属学会】
　日本応用物理学会

受講料

＊ 49,000円（税込）※ 資料代含
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＊ アカデミック価格は 25,000円（税込）

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