徹底解説 パワーデバイス

55,000 円(税込)

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開催日 10:30 ~ 16:30 
主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード 電子デバイス・部品   半導体技術
開催エリア 全国
開催場所 【Live配信】オンライン配信セミナー

~Si・SiC・GaN・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題~~パワーデバイスの高機能化から日本のパワーデバイス産業の復権に向けた展望まで~

【パワーデバイスについて分かりやすく、詳細に解説】 ●パワーエレクトロニクスの展開と産業構造 ●パワーデバイス:Si、SiC、GaN、Ga2O3の優位性と課題 ●パワーデバイスの構造と高性能化 ●パワーデバイス産業の技術動向と将来展望 について徹底解説!

 

日時

【Live配信】 2024年6月19日(水)0:30~16:30【アーカイブ配信】 2024年6月28日(金)まで申込み受付(視聴期間:6/28~7/11)  受講可能な形式:【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

セミナー講師

グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏  専門 : 半導体デバイス、半導体結晶経歴:元 千葉工業大学教授   元 三菱電機パワーデバイス開発部長

専門半導体デバイス、半導体結晶兼任および経歴・FTB研究所 特別顧問 ・パワーデバイスイネーブリング協会 理事・千葉工業大学付属研究所 共同研究員・元 千葉工業大学教授・元 三菱電機パワーデバイス開発部長執筆書籍「パワーデバイス」(コロナ社)「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」(コロナ社)、「現代電気電子材料」(共著、コロナ社)「半導体LSI技術」(共著、共立出版)「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」(共著、シーエムシー出版)「はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編」(共著、日経BPコンサルティング)「半導体デバイスの不良・故障解析技術」(共著、日科技連出版社)「先端パワーデバイス実装技術」(共著、シーエムシー出版)

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額27,500円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

【テレワーク応援キャンペーン(1名受講) オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合:受講料( 定価:41,800円/E-Mail案内登録価格 39,820円 ) ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
  • 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー中、講師へのご質問が可能です。

以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • S&T会員マイページ(無料)にログインいただき、ご視聴ください。
  • セミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。(テキストに講師の連絡先が掲載されている場合のみ)
  • 動画視聴・インターネット環境をご確認ください。
  • 以下の視聴環境および視聴テストを事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
  • セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。≫ 視聴環境  ≫ 視聴テスト【ストリーミング(HLS)を確認】

 

配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)その他注意事項※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見え始めており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶製造が難しく高価で品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い等々、量産化には多くの課題があります。また、これまで日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス産業の復権に向けた提案を述べます。

受講対象・レベル

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者※初心者の受講でも問題ない

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造 ・パワーデバイスによる電力変換・パワーデバイスの構造と高性能化・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット・パワーデバイス用結晶の特異性・Siパワーデバイスの優位性と課題・SiCパワーデバイスの優位性と課題・GaNパワーデバイスの優位性と課題・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題・日本の電子デバイス産業における失敗事例・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業 1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造2.パワーデバイスの構造と高性能化 2.1 パワーデバイスの構造と要求性能 2.2 パワーデバイスの高性能化3.Siパワーデバイスの優位性と課題 3.1 Siパワーデバイスの優位性 3.2 Siパワーデバイスの課題4.SiCパワーデバイスの優位性と課題 4.1 SiCパワーデバイスの優位性 4.2 SiCパワーデバイスの課題5.GaNパワーデバイスの優位性と課題 5.1 GaNパワーデバイスの優位性 5.2 GaNパワーデバイスの課題6.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題 6.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性 6.2 Ga2O3パワーデバイスの課題7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位 7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗 7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業  □ 質疑応答 □