レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎とトラブル対策

★レジストの基礎から、レジスト・EUVレジスト微細加工用材料の　　　　　　　　　　　　トラブル対策について課題をふまえて解説します！※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。【アーカイブ配信：6/3～6/14】での受講もお選びいただけます。

セミナー講師

大阪大学　産業科学研究所　招聘教授　工学博士　遠藤 政孝　氏＜専門＞　半導体リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料、高分子化学＜略歴＞　1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。　2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。※上記金額はライブ配信、アーカイブ配信いずれかの受講料です。ライブ配信、アーカイブ配信両方視聴される場合は、会員価格で1名につき55,000円（税込）、2名同時申込で66,000円（税込）になります。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご住所などをご記入ください。開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますことご了承下さい。
• アーカイブの場合は、配信開始日以降に、セミナー資料と動画のURLをメールでお送りします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられている。レジスト・微細加工用材料はこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVメタルレジスト）の詳細を含めて述べる。レジスト・微細加工用材料のトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最後に現在の3nmロジックノード以降のロードマップを解説し、今後のレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向についてまとめる。　

習得できる知識

・レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎・リソグラフィの基礎・レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料のトラブル対策・レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向　

セミナープログラム

1．リソグラフィの基礎　1-1．露光　1-2．照明方法　　（1）輪帯照明　1-3．マスク　　（1）位相シフトマスク　　（2）光近接効果補正（OPC）　　（3）マスクエラーファクター（MEF）

2．レジストの基礎　2-1．溶解阻害型レジスト　　（1）g線レジスト　　（2）i線レジスト　　（3）レジスト組成材料の詳細とキーポイント　2-2．化学増幅型レジスト　　（1）KrFレジスト　　（2）ArFレジスト　　（3）レジスト組成材料の詳細とキーポイント　2-3．EUVレジスト　　（1）化学増幅型EUVレジスト　　（2）EUVメタルレジスト

3．レジスト・微細加工用材料のトラブル対策　3-1．レジストパターン形成不良への対応　　（1）パターン倒れ　　（2）パターン密着性不良　　（3）パターン形状不良　　（4）チップ内のパターン均一性不良　3-2．化学増幅型レジストのトラブル対策　　（1）レジスト材料の安定性　　（2）パターン形成時の基板からの影響　　（3）パターン形成時の大気からの影響　3-3．ArF液浸レジストのトラブル対策　3-4．ダブルパターニング、マルチパターニングのトラブル対策　　（1）リソーエッチ（LE）プロセス用材料　　（2）セルフアラインド（SA）プロセス用材料　3-5．EUVレジストの課題と対策　　（1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ　　（2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）　3-6．自己組織化（DSA）リソグラフィのトラブル対策　　（1）グラフォエピタキシー用材料　　（2）ケミカルエピタキシー用材料　3-7．ナノインプリントリソグラフィのトラブル対策

4．最新のロードマップとレジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

キーワード：レジスト,EUV,微細,加工,パターン,形成,液浸,リソグラフィ,トラブル,欠陥,対策