＜基礎から学べる＞半導体製造プロセスにおけるドライエッチング ～ドライエッチングの基礎及びプロセス技術、最新の技術動向～

セミナー趣旨

  半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。

受講対象・レベル

半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。

必要な予備知識

半導体製造プロセスに関する一般的な知識

習得できる知識

・プラズマエッチングの形状制御メカニズム
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術

セミナープログラム

１. イントロダクション

　1-1. 半導体デバイスのトレンド
　1-2. 半導体プロセスの概要

２. ドライエッチング装置

　2-1. プラズマエッチング開発の歴史(概略)
　2-2. プラズマ源とドライエッチング装置

３. ドライエッチングのメカニズム

　3-1. イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
　3-2. エッチング選択比とガス
　3-3. CDシフト(寸法変動)のメカニズム
　3-4. 均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
　3-5. 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

４. LER、Wiggling、Twisting抑制技術

　4-1. 堆積制御によるLER改善とEUV応用
　4-2. 応力制御によるWiggling抑制
　4-3. 絶縁膜HARC加工におけるTwisting改善

５. 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術

　5-1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
　5-2. Si/SiGe fin etching (ALE応用）
　5-3. SAC対応エッチング技術(ALE応用）
　5-4. WFM patterning

６. GAA/CFET世代のエッチング技術

　6-1. GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
　6-2. CFETで求められるエッチング加工

７. コンフォーマルドライエッチング技術

　7-1. 等方性ドライエッチング技術の概要
　7-2. 熱サイクルALE技術と装置
　7-3. プラズマを用いたコンフォーマルALE
　7-4. 有機錯体反応を用いたALE

８. エッチング技術のこれから（概略）

９. まとめ

セミナー講師

 （株）日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 主管技師長 工学博士　 伊澤 勝 先生

■ご略歴
1989年4月  （株）日立製作所入社・生産技術研究所に配属
1992年8月    同社・中央研究所に転属し、半導体エッチング技術の研究開発に従事
2012年4月  （株）日立ハイテクに転属し、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。
2019年4月～ 現職。引き続き、半導体エッチング技術開発および顧客開発に従事。
■ご専門
・半導体プラズマエッチング装置およびプロセス技術の開発
・分子シミュレーション技術および表面反応メカニズム解析
■本テーマ関連学協会でのご活動
2007年　ドライプロセス国際シンポジウム　論文委員長　（電気学会）
2011年～2012年　ドライプロセス国際シンポジウム　組織委員長
2019年～ SSDM組織委員

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

主催者

開催場所

受講について

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