半導体フォトレジスト・材料の基礎と応用展開・トラブル対策

セミナー趣旨

　半導体・ディスプレイ・電子素子・5感センサー等の高機能化にリソグラフィ加工は非常に有用である。
この加工技術において使用されるフォトレジストは、リソグラフィ技術のキーとなる電子材料である。
但し、光感光性を保有する、フォトレジストは非常に高機能であると共に、他の電子材料と比べ、その取扱い・使用環境においてある種の繊細さを必要とする。
また、フォトレジスト性能の良否は、それを使用するプロセス条件に依存する所が大きいため、潜在的な特性に加え、使用するプロセスに対する特性依存性を理解する事も重要である。
　そこで、本講演では、ポジ型のフォトレジストに限定し、各世代の露光機毎のフォトレジスト材料の構成と、その取り扱い上の注意点、および、そのプロセス条件依存性について解説する。

セミナープログラム

1.ポジ型フォトレジスト材料(基礎)
　1-1　フォトレジストの定義とポジレジスト／ネガレジスト概要
　1-2　露光世代別ポジ型フォトレジストに使用されている構成原料概要
　1-3　光化学反応とパターニングの原理

2.フォトリソグラフィプロセス概要とポジ型フォトレジストに求められる特性概要

3.ポジ型フォトレジストのパターニング特性を左右する使用プロセスとフォトレジストのパターニング特性に与える影響因子
　3-1　塗布装置
　3-2　ベーク（プリベーク、PEB、ポストベーク）装置
　3-3　露光装置・マスク
　3-4　現像装置   

4.パターニング後のポジ型フォトレジストの適用プロセスとプロセス耐性に与える影響因子
　4-1　ウェットエッチングプロセス
　4-2　ドライエッチングプロセス
　4-3　イオンインプラプロセス
　4-4　めっきプロセス
　4-5　リフトオフプロセス

5.フォトレジスト材料の取り扱い上の留意点
　5-1　製造上の留意点
　5-2　保管上の留意点

セミナー講師

ACE LABO.　 代表　 山田　達也　氏

【経歴】
1991 ~ 1989 兵庫県立大学（旧姫路工業大学）所属。
　　　　　　250～190nm の真空紫外光を使った環状化合物の異性化反応の研究に 3年間従事。
1989　　　　発足当時のナガセ電子化学（原ナガセケムテックス）に光化学反応論と応用物理学の基礎理解で、採用。
　　　　　　以降、2023 年までの35年間フォトレジスト商品開発、市場展開の業務のみに従事。
1990 ~ 1996 フォトレジストの国産化担当。
　　　　　　国内に原料の受託加工メーカーが出来るまで、樹脂、感光剤、添加剤原料の合成を担当。
370 ~ 350nm の波長光源に対応するフォトレジスト製品開発担当。
　　　　　　会社規模が小さかったため、原料合成・探索、組成検討、分析、製造技術確立、顧客展開、市場調査全般担当。
1996 ~ 2004 韓国 KKPC 社に派遣。ArF 液浸レジストの初期まで開発担当。韓国企業への商品展開も一部担当。
2004 ~ 2023 5 感センサー、スマートフォン、車載用デバイス向けのフォトレジスト商品開発を担当。
　　　　　　この感にフォトレジスト特性を更に引き出せる装置開発も経験。2009年にセミコンジャパン講演
　　　　　　ニッチ商品開発に特化し、東北大学、東京大学、京都大学のフォトリソグラフィ用の電子材料関連で講演実施。
2023　　　　フォトリソグラフィ材料以外の「生物模倣」等において有効な新規技術開発を目的に一年早く、退社。現在に至る。

【専門内容】
フォトリソグラフィ材料の開発、分析、製造、拡販。リソグラフィ装置コンセプトのαステージ化

セミナー受講料

【1名の場合】39,600円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。