半導体配線材料・技術の最新動向
開催日 |
13:00 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | 電子デバイス・部品 半導体技術 金属材料 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能) |
2nmへのCu配線延命状況、代替配線動向
BPR・BSPDNの研究加速、Subtractive Ruの技術課題と対応策
最先端ノードの実際、今後の展望・課題
今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性.etc
昨年大好評だった、先端配線技術セミナーの待望のアップデート版が登場!
現在、2nm配線技術開発に従事する、IBM Research 野上氏による講演です。
2nmへの微細化で遭遇するRC performance、歩留まり、信頼性のジレンマ、Cu リフロー技術、FAV (Fully Aligned Via)技術など、昨年概要をベースにここ1年の最新技術・進展を追加・更新してお届けします。
セミナー講師
Principal Research Staff Member 博士 (工学) 野上 毅 氏
【専門】LSI先端配線技術
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
44,000円( E-mail案内登録価格41,800円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 44,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額22,000円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※他の割引は併用できません。
受講について
Zoom配信の受講方法・接続確認
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
- 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- セミナー中、講師へのご質問が可能です。
- 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
≫ テストミーティングはこちら
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
Live配信受講者特典のご案内
- Live(Zoom)配信受講者には、特典(無料)として「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。聞き逃しや振り返り学習に活用ください。
視聴期間:終了翌営業日から7日間[10/21~10/27]を予定
セミナー趣旨
受講対象・レベル
材料メーカー、装置メーカー、先端配線技術分野に新規参入される方々。
日本の超微細化半導体産業復興に興味のある方々。
習得できる知識
これからの数年間で必要とされる材料、新規技術について、各々の実現可能性の大小とともに把握できる。
セミナープログラム
1.1 Cuデュアルダマシン技術とは
1.2 微細化に伴う問題点
1.3 2nmへの微細化で遭遇するRC performance, 歩留まり、信頼性のジレンマ (update)
2.最近量産に導入されているCu配線延命を可能にしている新技術
2.1 改良型ALD (atomic layer deposition) バリアメタル技術 (update)
2.2 トレンチとビアの形状(アスペクト比)の最適化
2.3 RSB (Reverse Selective Barrier)によるビア抵抗の低減 (update)
2.4 Low-k (低誘電率絶縁膜)のPID (plasma induced damage)耐性向上
2.5 シングルダマシンCu配線の導入 (update)
3.Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術
3.1 Cu リフロー技術 (update)
3.2 FAV (Fully Aligned Via)技術 (update)
3.3 レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術 (update)
3.4 グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術 (update)
3.5 ハイブリッドCu配線技術による微細化促進 (update)
3.6酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術
3.7 Mnによりアシストされた超薄型バリアメタル (update)
3.8 揮発性材料を用いたエアーギャップ形成 (update)
4.シリコン基板に電源線を埋め込む技術
4.1 BPR (buried power rail) (update)
4.2 BSPDN (backside power distribution network) (update)
5.代替配線技術
5.1 Coデュアルダマシン技術
5.2 Subtractive RIE Ru, Mo, W配線 (update)
5.3 金属間化合物配線 (update)
6.まとめ
□質疑応答□