ALE(アトミック レイヤー エッチング)技術の基本原理と最新動向、今後の展望

従来エッチングの課題・ALEの基本原理・各種材料での開発事例

微細化・高精密化への要求が止まらない半導体技術の次なるキー技術であるALE
ALE技術の基礎から各種被膜でのエッチング事例、今後への課題とは・・・
メーカーの研究開発現場に携わる講師がALEの現状をお伝えします!

セミナー趣旨

 半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。
 そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。

受講対象・レベル

・半導体デバイス/製造の若手技術者

習得できる知識

・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ/ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・ALE(アトミック レイヤー エッチング)の原理
・ALEの各種手法、および様々な材料のALE研究開発事例

セミナープログラム

1.半導体デバイス製造におけるエッチング
 1.1 エッチングとは
 1.2 エッチング工程の種類

2.デバイス動向とエッチングの先端課題
 2.1 ロジック/メモリーデバイスの動向
 2.2 エッチングの歴史と先端課題

3.エッチングの基礎
 3.1 プラズマエッチング
 3.2 ウェットエッチング

4.従来エッチングの課題
 4.1 面内分布
 4.2 エッチング損傷

5.アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎
 5.1 ALEの原理
 5.2 ALE手法の分類

6.有機金属錯体反応による等方性ALE
 6.1 La2O3
 6.2 Co

7.プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
 7.1 Si3N4
 7.2 SiO2
 7.3 TiN
 7.4 W

8.ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
 8.1 Si 

9.フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
 9.1 Si3N4

10.今後の課題

□ 質疑応答 □

セミナー講師

(株)日立製作所 研究開発グループ 計測イノベーションセンタ ナノプロセス研究部 主任研究員 篠田 和典 氏

セミナー受講料

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44,000円( E-mail案内登録価格41,800円 )
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2名で 44,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額22,000円)

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※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

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1名申込みの場合:35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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