パワーモジュール組立(封止・接合)技術と高熱伝導化

53,784 円(税込)

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開催日 9:55 ~ 16:40 
締めきりました
主催者 株式会社ジャパンマーケティングサーベイ
キーワード 半導体技術
開催エリア 東京都
開催場所 東京都中央区立総合スポーツセンター 4F 第1・2会議室
 省エネや環境問題などの意識の高まりにより、自動車の電動化や白物家電のインバータ化、 再生可能エネルギーへの転換が更に進むことが見込まれています。 それらに搭載されるパワーデバイス、特に、IGBTモジュールはSiC化による高温動作対応、 または、高寿命やメンテナンスフリーの観点から、より高い信頼性技術が求められています。 これらに寄与する高耐熱・高熱伝導・高信頼性接合の組立技術と部材の最新動向について、 各分野から講師をお招きしまして、詳細に解説して頂きます。

【講演テーマ/講師】

10:00~11:00
パワーモジュール向け高熱伝導・高信頼性窒化ケイ素基板 (仮)
 東芝マテリアル株式会社 ファインセラミックス事業開発担当
 那波 隆之 氏
 
11:00~12:30
 高耐熱接合技術 - Cuナノ粒子接合など 
 大同大学 工学部 電気電子工学科
 教授 博士(工学) 山田 靖 氏
 
12:30~13:10
 昼食
 
13:10~15:10
パワーモジュールの高信頼性パッケージング技術 
 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部
 パッケージ開発部 先行開発課 池田 良成 氏
  
15:10~16:40
パワーデバイス用封止樹脂の高耐熱化 (仮)
 横浜国立大学 リスク共生社会創造センター
 客員教授 高橋 昭雄 氏
  
※各講演時間に5分程度の質疑応答を含みます。   

【セミナープログラム】

1. パワーモジュール向け高熱伝導・高信頼性窒化ケイ素基板 (仮)
   東芝マテリアル株式会社 那波 隆之 氏 

2. Cuシンター材による高耐熱接合技術 (仮)
   大同大学 山田 靖 氏 

3. パワーモジュールの高信頼性パッケージング技術 
   富士電機株式会社 池田 良成 氏   

4. パワーデバイス用封止樹脂の高耐熱化 (仮)
   横浜国立大学 高橋 昭雄 氏      

【受講料】

1名様 49,800円(税別)テキスト及び昼食を含む