EVシフト・カーボンニュートラルに向けたSi・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | S&T出版株式会社 |
キーワード | 電子デバイス・部品 半導体技術 自動車技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 |
SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するための
ポイントは何か?
強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説!
セミナー講師
岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)
セミナー受講料
51,000円 (Eメール案内登録価格:1名44,000円,2名51,000円,3名73,000円)
※資料付(印刷資料)
※Eメール案内を希望されない方は、「51,000円×ご参加人数」の受講料です。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
★1名で申込の場合、44,000円
★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料+3名様を超える人数×20,000円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
ご参加者のご連絡なく2名様以上のご参加はできません。
受講について
<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
<禁止事項>
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
<配付資料についての注意事項>
本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
弊社HPからのダウンロードまたはe-mail添付にてお送りいたします。
貴社システムセキュリティ等によりお受取方法に制限がある場合は、可能な方法をご連絡ください。
・e-mail添付の場合は、1ファイル当たり10MB以下のPDF形式でお送りします。
・ダウンロードの場合は、主催者サーバからダウンロードしていただきます。
セミナー趣旨
2020年からのコロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け、2021年末になりようやく回復の見通しがみえつつある状況にある。このような中において、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化(xEV)をはじめとした脱炭素社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。EVをはじめとしたパワエレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。
受講対象・レベル
パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識があれば十分理解できるよう、わかりやすく解説します。
習得できる知識
過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
セミナープログラム
- パワーエレクトロニクスとは?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワーデバイスの種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 高周波動作のメリットは
- シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
- 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
- 最新シリコンIGBTの進展
- 10年後のパワー半導体の市場予測
- シリコンIGBTの今
- 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
- 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
- IGBTの進展を支える実装技術の進展
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- SiCのシリコンに対する利点
- 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
- SiCウェハができるまで
- SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
- SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
- なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
- SiC-MOSFET作成プロセス
- SiCデバイス信頼性のポイント
- 最新SiC-MOSFET開発動向
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
- GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- Current Collapse現象メカニズム
- 最新GaN-HEMT開発動向
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
- 酸化ガリウムとその特徴
- 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
- ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
- 高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
- ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
- まとめ