半導体配線材料・技術の最新動向
開催日 |
13:00 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | 電子デバイス・部品 半導体技術 金属材料 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | Live配信セミナー ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
更なる微細化に向け、Cuデュアルダマシン配線は本当に限界なのか?
RuやCoなどへの置き換えは? 実際の最先端のノードの現状とは?
IBM Research 野上氏による先端配線技術セミナー!
Cu配線延命の最先端、代替配線技術動向 BPR・BSPDN・電源配線技術
最先端ノードの実際、今後の展望・課題
今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性
セミナー講師
IBM Research / IBM Corp.
Principal Research Staff Member 博士 (工学) 野上 毅 氏
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
44,000円( E-mail案内登録価格41,800円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 44,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額22,000円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
※1名様でLive配信/WEBセミナーをお申込みの場合、上記キャンペーン価格が自動適用になります。
※他の割引は併用できません。
受講について
Zoom配信の受講方法・接続確認
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
- 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
- セミナー中、講師へのご質問が可能です。
- 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
≫ テストミーティングはこちら
特典
- アーカイブ(見逃し)配信付き:
視聴期間:終了翌営業日から7日間[10/21~10/27]を予定
※アーカイブは原則として編集は行いません
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
配布資料
- PDFテキスト(印刷可)のみ
セミナー趣旨
Cu配線が導入されてから20年以上が経過したが、近年、Cuデュアルダマシン配線は更なる微細化には限界が来ているとの見方から、研究機関を中心にRuやCoなどの代替金属材料に置き換える技術開発が進行中である。しかしながら、実際の最先端のノードにおいても、Cu配線は延命の為の工夫を加えることで、使い続けられているのが現状である。本セミナーでは、Cu配線延命の為、導入されてきた最近の技術、技術開発が進行中のCu配線延命技術、及び、代替配線技術の現状と課題について述べる。これらと同時に、線幅の太い電源ラインをシリコン基板の表側や裏側に埋設するブレークスルーの開発が進行中であるが、これらのメリットと技術課題についても解説する。
受講対象・レベル
材料メーカー、装置メーカー、先端配線技術分野に新規参入される方々
習得できる知識
これからの数年間で必要とされる材料、新規技術について、各々の実現可能性の大小とともに把握できる。
セミナープログラム
- Cuデュアルダマシン技術の微細化に伴う問題点
- Cuデュアルダマシン技術とは
- 微細化に伴う問題点
- 微細化が限界だとする悲観論の持つ定量的な曖昧さ
- 最近量産に導入されているCu配線延命を可能にしている新技術
- 改良型ALD (atomic layer deposition) バリアメタル技術
- トレンチとビアの形状(アスペクト比)の最適化
- RSB (Reverse Selective Barrier)によるビア抵抗の低減
- Low-k (低誘電率絶縁膜)のPID (plasma induced damage)耐性向上
- シングルダマシンCu配線の導入
- Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術
- レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術
- グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術
- ハイブリッドCu配線技術による微細化促進
- 酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術
- Mnによるアシストされた超薄型バリアメタル
- 揮発性材料を用いたエアーギャップ形成
- シリコン基板に電源線を埋め込む技術
- BPR (buried power rail)
- BSPDN (backside power distribution network)
- 代替配線技術
- Coデュアルダマシン技術
- Subtractive RIE Ru, Mo, W配線
- 金属間化合物配線
- まとめ
□質疑応答□