【中止】ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策【ライブ配信】
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | シーエムシー・リサーチ |
キーワード | 化学反応・プロセス 電子デバイス・部品 半導体技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | 受講について |
ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、
エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説!
日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。
セミナー講師
河合 晃 氏
長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻
電子デバイス・フォトニクス工学 講座 教授
兼 アドヒージョン㈱(研究成果活用企業(大学ベンチャー))代表取締役 博士(工学)
セミナー受講料
55,000円(税込) * 資料付
*メルマガ登録者 49,500円(税込)
*アカデミック価格 26,400円(税込)
★メルマガ会員特典
2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、
2人目は無料(1名価格で2名まで参加可能)、3名目以降はメルマガ価格の半額です。
★ アカデミック価格
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、
大学院の教員、学生に限ります。申込みフォームに所属大学・大学院を記入のうえ、
備考欄に「アカデミック価格希望」と記入してください。
受講について
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
→ https://zoom.us/test - 当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
- タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
- お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
- ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
- 「Zoom」についてはこちらをご参照ください。
■ お申し込み後の流れ
- 開催前日までに、ウェビナー事前登録用のメールをお送りいたします。お手数ですがお名前とメールアドレスのご登録をお願いいたします。
- 事前登録完了後、ウェビナー参加用URLをお送りいたします。
- セミナー開催日時に、参加用URLよりログインいただき、ご視聴ください。
- 講師に了解を得た場合には資料をPDFで配布いたしますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固く禁じます。
- 資料を冊子で配布する場合は、事前にご登録のご住所に発送いたします。開催日時に間に合わない場合には、後日お送りするなどの方法で対応いたします。
セミナー趣旨
ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、かつ、高周波プリント基板や LSI および液晶デバイスなどの様々な先端分野で主力の加工技術となっています。また、ウェットエッチングは、量産性やコスト性および設備の簡易さに優れており、かつ、エッチングと同時にウェット洗浄も行えるという特長を有しています。しかし、ウェットエッチングには、濡れ性制御、反応性コントロール、界面密着制御、マスク耐性などの様々な要因が関わっており、高精度化のためには、それぞれを最適化することが必要です。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説します。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。
受講対象・レベル
- 初心者の方にも分かりやすく解説します。
習得できる知識
- ウェットエッチングの基礎、コントロール要因、形状制御技術
セミナープログラム
- ウェットエッチングの基礎
- 加工技術としての位置づけ(設計値とシフト量)
- 基本プロセスフロー(前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄)
- プロセス支配要因(濡れ、律速、反応速度、エッチング機構)
- 等方性エッチング(アンダーカット)
- 結晶異方性エッチング(結晶方位依存性)
- 表面エネルギー理論による界面浸透解析(拡張エネルギーS、円モデル)
- 処理装置(液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、
フィルタリング)
- アンダーカット形状コントロール
- 支配要因(界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性)
- 形状コントロール(エッチングラインの高精度化)
- 高精度形状計測(断面 SEM、定在波法、光干渉法、X 線 CT)
- プロセスの基礎と最適化要因
- 被加工表面の最適化(表面被膜、汚染、欠陥の影響)
- 被加工膜の材質依存性(Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜)
- 表面汚染(大気中放置、自然酸化)
- 表面前処理(疎水化および親水化)
- エッチング液
- エッチング液の選定(等方性/異方性)
- エッチングレート(反応律速)
- エッチング液の劣化(物質移動律速)
- エッチングマスク
- マスク剤の選定(レジスト膜、無機膜)
- マスク剤の最適化(マスク形成と高精度化)
- マスクの形状劣化(熱だれ、転写特性)
- マスク内の応力分布と付着強度(応力集中と緩和理論)
- エッチング液の浸透(CLSM 解析)
- 被加工表面の最適化(表面被膜、汚染、欠陥の影響)
- トラブル要因と解決方法(最短の解決のために)
- マスクパターンの剥離(付着エネルギー Wa 及び剥離要因)
- エッチング液の濡れ不良(ピンニング不良)
- エッチング開始点の遅れ(コンタクトラインの VF 変形)
- ホールパターンの気泡詰まり(界面活性剤)
- エッチング表面の荒れ(気泡、異物)
- 金属汚染(RCA 洗浄)
- 液中酸化(溶存酸素)
- 再付着防止(DLVO 理論、ゼータ電位)
- 乾燥痕(マランゴニー対流、IPA 蒸気乾燥)
- 質疑応答
(日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます)