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開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | 株式会社 技術情報協会 |
キーワード | 半導体技術 電気・電子技術 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【品川区】技術情報協会セミナールーム |
交通 | 【JR・地下鉄】五反田駅 【東急】大崎広小路駅 |
★現在の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況は?
★社会背景や、SiC/GaNと比較した際の特徴などから今後の開発の動向を探る!
講師
(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
センター長 博士(工学) 東脇 正高 氏
【講師ご略歴】
平成12年 郵政省通信総合研究所 研究員 [平成16年4月 (独)情報通信研究機構に改組]
平成19〜22年 米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校 プロジェクト研究員(情報通信研究機構より転籍出向)
平成22年 情報通信研究機構へ復帰 主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る
受講料
1名につき50,000円(消費税抜き・昼食・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき45,000円(税抜)〕
講演概要
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
本講演では、最初に現状の半導体パワーデバイス研究開発の背景について述べた後、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題、および今後の展望などについて解説する。
プログラム
1.はじめに
1-1 パワーエレクトロニクスとは?
1-2 次世代パワーデバイスが求められる社会的背景
1-3 パワーエレクトロニクスについて基礎知識
2.酸化ガリウムの材料物性、結晶成長技術
2-1 酸化ガリウムの特徴(SiC, GaNとの比較から)
2-2 単結晶バルク融液成長
2-3 エピタキシャル薄膜成長
3.酸化ガリウムデバイス開発動向
3.1 トランジスタ
3.2 ショットキーバリアダイオード
3.3 光デバイス(LED、紫外受光素子など)
4.酸化ガリウムパワーデバイスへの期待と展望
4.1 海外における酸化ガリウムデバイスの開発状況
4.2 今後の課題、展望
【質疑応答・名刺交換】