<半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ>プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

49,500 円(税込)

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開催日 13:00 ~ 16:30 
主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード プラズマ技術   薄膜、表面、界面技術   半導体技術
開催エリア 全国
開催場所 【Live配信】オンライン配信セミナー

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術/課題と対策を解説 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします!

   受講可能な形式:【Live配信】or【アーカイブ配信】

日時

【Live配信】 2024年5月22日(水)  13:00~16:30【アーカイブ配信】 2024年6月4日(火)  から配信開始【視聴期間:6/4(火)~6/17(月)】

 

セミナー講師

SPPテクノロジーズ(株)製造部 次長 兼 資材グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏【経歴・研究内容・専門・活動】1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.1989年4月 住友金属工業(株)に入社.Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)装置全般の技術営業、マーケティング(現在)

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:37,400円/E-mail案内登録価格 35,640円 )※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
  • 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー中、講師へのご質問が可能です。

以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 会場での録画終了後から営業日で10日以内を目安に視聴開始のご案内をお知らせします。
  • S&T会員マイページ(無料)にログインいただき、ご視聴ください。
  • 視聴期間は営業日で10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。(テキストに講師の連絡先が掲載されている場合のみ)
  • 動画視聴・インターネット環境をご確認ください。
  • 以下の視聴環境および視聴テストを事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
  • セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。≫ 視聴環境  ≫ 視聴テスト【ストリーミング(HLS)を確認】

 

配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)その他注意事項※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

習得できる知識

プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

セミナープログラム

1.プラズマCVD装置の基本構造 1.1 プラズマCVD装置の構成 1.2 反応チャンバーの基本構成2.プラズマCVD装置の用途 2.1 適用アプリケーション3.プラズマCVD装置のプロセス性能 3.1 SiH4系SiO2膜 3.2 SiH4系SiN膜 3.3 SiH4系SiON膜 3.4 SiH4系a-Si膜 3.5 SiH4系SiC膜 3.6 TEOS系SiO2膜 3.7 液体ソース系SiN膜4.開発用装置と量産用装置 4.1 プラットフォーム5.プラズマCVD装置の課題と対策 5.1 高レート化 5.2 プロセスの再現性 5.3 低パーティクル 5.4 チャンバークリーニング 5.5 ウェーハ温度の低温化 5.6 ウェーハ大口径化  など  □質疑応答□