自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

セミナー趣旨

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 最近のトピックスから
　1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1-7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2-2 MOSFET特性改善を支える技術
　2-3 IGBT特性改善を支える技術
　2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2-5 IGBT特性改善の次の一手
　2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
　2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2 GaNデバイスの構造
　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-7 GaN-HEMTの課題
　4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5-1 酸化ガリウムの特徴は何
　5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
　5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　5-2 銀または銅焼結接合技術
　5-3 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

　　□質疑応答□

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