【中止】【SiCパワー半導体 / SiC単結晶ウェハ技術の最前線

セミナー趣旨

　現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされています。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされていますが、パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用されています。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されていますが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠であります。

　本講演では、9月にイタリアで開催されるSiC半導体国際会議（ICSCRM2023）での最新報告・動向も含めて、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論します。商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車開発技術者・技術企画担当者・営業担当者などの方々に向けたセミナーです。

セミナープログラム

1. SiCパワー半導体開発の背景
　　1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
　　1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2. SiCパワー半導体開発の歴史
　　2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
　　2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
　　3.1. SiCパワー半導体の市場
　　3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　　3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　　4.1. SiC単結晶とは？
　　4.2. SiC単結晶の物性と特長
　　4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

5. SiCパワーデバイスの最近の進展
　　5.1. SiCパワーデバイスの特長
　　5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　　5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

6. SiC単結晶のバルク結晶成長
　　6.1. SiC単結晶成長の熱力学
　　6.2. 昇華再結晶法
　　6.3. 溶液成長法
　　6.4. 高温CVD法（ガス法）
　　6.5. その他成長法

7. SiC単結晶ウェハの加工技術
　　7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　　7.2. SiC単結晶の切断技術
　　7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　　8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　　8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

セミナー講師

大谷 昇　氏
関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 教授（Ph.D.）

（公社）応用物理学会：代議員、先進パワー半導体分科会幹事長、フェロー
日本結晶成長学会：理事、評議員
The Electrochemical Society (ECS)：Symposium organizer
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)：国際諮問委員会委員、実行委員長、国際プログラム委員
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)：国際プログラム委員
Japanese Journal of Applied Physics/ Applied Physics Expres：編集委員
IEEE Transaction on Electron Devices：Special issue editor
ECS Journal of Solid State Science and Technology：Special issue editor

セミナー受講料

お1人様受講の場合　51,700円[税込] / 1名
1口でお申込の場合　66,000円[税込] / 1口（3名まで受講可能）

受講申込ページで2～3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。