半導体用レジストの材料設計とレジスト除去技術

セミナー趣旨

半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。また、レジスト剥離工程においては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を現状では大量に使用している。特に、イオン注入工程を経たレジストはレジスト表面が変質しており除去が非常に困難である。
　 本講演では、レジスト材料（感光性樹脂）そのものについて解説するとともに、レジスト剥離工程について従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について解説する。イオン注入工程を経たレジストの化学構造や除去技術についても紹介する。
　 レジストについては、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分（ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤）ポジ型レジストのそれぞれの成分とレジスト特性との関係について解説する。
　 レジスト剥離（除去）については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。

セミナープログラム

１．感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
　 1-1 感光性レジストとは
　 1-2 リソグラフィーについて
　 1-3 フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB)、現像工程の概要

２．レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
　 2-1 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
　 2-2 レジストの基本原理
　 2-3 レジストの現像特性
　 2-4 レジストとSi基板との密着性について

３．ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
　 3-1 レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
　 3-2 ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
　 3-3 ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
　 3-4 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
　 3-5 ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係

３．化学増幅ポジ型レジストの材料設計
　 3-1 化学増幅ポジ型3成分（ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤）レジストのベース樹脂とレジスト特性
　 3-2 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
　 3-3 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
　 3-4 EUVレジストへの展開
　 3-5 i線厚膜レジストへの展開

４．環境に優しい新規なレジスト除去技術について
　 4-1 活性種として水素ラジカルを用いた場合
　 4-2 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
　 4-3 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
　 4-4 イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

５．今後の展望

【質疑応答】

セミナー講師

 大阪公立大学　学長特別補佐　大学院工学研究科　物質化学生命系専攻　化学バイオ工学分野　有機・高分子化学研究グループ　教授　博士（工学）　堀邊 英夫 氏

【ご活躍】
大阪大学　招聘教授
大阪工業大学　客員教授
高知工科大学　客員教授
金沢大学　客員教授
東北大学　特任教授　 　

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
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