低コスト積層型ロジックLSI回路の原理、要素技術と開発展望

3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた
微細限界の克服

平面型トランジスタの微細化限界を克服する、新しい積層型論理回路の開発技術について第一人者が丁寧に解説します！

講師

湘南工科大学 工学部 情報工学科　教授　博士（工学） 渡辺 重佳 先生

【講師紹介】
　1979年　東芝入社。以来26年間ＬＳＩの研究開発に従事。東芝在籍中はフラッシュメモリの発明者である舛岡富士雄先生の直接の指導を受けた。
　2005年10月より、湘南工科大学情報工学科に勤務。ＬＳＩ、ハードウェア関連の教育、研究を行っている。
　2015年以降　本セミナーで講演する積層ロジックＬＳＩの研究に注力している。

受講料

1名41,040円(税込（消費税8％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合 、1名につき30,240円
＊学校法人割引 ；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

セミナーポイント

　LSIは過去ムーアの法則にしたがって平面型トランジスタの微細化が進み、大容量化、低コスト化、高速化、低消費電力化が着実に進められてきた。この平面型トランジスタの微細化もショートチャネル効果等のため近年限界に近付いている。本講演ではまず現在の平面型トランジスタを用いた平面型論理回路の設計法とその課題について述べる。
　次にこの課題を解決するために提案された平面型論理回路を縦方向に積層した積層型論理回路について述べ、最後に講演者が独自に考案、提案した３Ｄ−ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路について解説する。
　新しい積層型論理回路は３Ｄ−ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造技術を用いている為、低コストで、ムーアの法則、スケーリング則の限界を克服できる可能性を秘めている。本講演では講演プログラムに示した幾つかの論理回路で新しい積層型論理回路の実現可能性について説明する。

■ この講座を受講して得られる情報・知見：
＊ムーアの法則、スケーリング則の限界を克服できるＬＳＩの新しい候補を知ることができる。
＊新たなＬＳＩの設計法、製造技術の可能性について知ることができる。

■ 想定する受講対象：
　電気・ＩＴ・半導体製造装置関連企業の方、経営コンサルタント、ＬＳＩを中心とした電気電子・情報関連の研究者、教員、学生等。

セミナー内容

1　ムーアの法則の限界
　1.1　平面型トランジスタを用いたＬＳＩの特徴
　1.2　スケーリング則によるＬＳＩの大容量化、低コスト化

2　平面型トランジスタを用いた積層型論理回路の取り組み
　2.1　ワイヤボンディング方式
　2.2　ＴＳＶ方式
　2.3　平面型トランジスタを用いた積層型論理回路の限界

3　３Ｄ−ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造技術
　3.1　３Ｄ−ＮＡＮＤフラッシュメモリとは
　3.2　３Ｄ−ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造技術の特徴

4　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路とは
　4.1　Ｆｅ−ＦＥＴとは
　4.2　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路の基本構成
　4.3　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路による低コスト化

5　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路の応用
　5.1　組み合わせ回路
　5.2　順序回路
　5.3　ＬＵＴ方式
　5.4　ＦＰＧＡへの応用

6　将来展望
　6.1　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路によるムーアの法則の限界の克服
　6.2　低コスト積層型ロジックＬＳＩ回路によるスケーリング則の限界の克服

 ＜質疑応答＞