異種デバイス集積モジュールへ拡張する半導体デバイスパッケージ

【対象者】


・ Bump、再配線、WLP、 TSV、3Dインテグレーション等の中間領域プロセスに関心のある方
・ FOWLP、FOPLPの現状を把握し、製品展開を模索している方
・ FOWLP、FOPLPの装置市場、材料市場の変化を探っている方


【セミナーで得られる知識】


・中間領域技術と半導体デバイスパッケージの役割の変化


・再配線形成、FOWLP、FOPLPの基礎プロセスと材料・設備の考え方・市場動向、技術動向の視点


【趣旨】


 TSMCの“InFO”の量産化によりFan-Outパッケージは一気に注目を浴びることになりました。AIの進展、5G通信の普及、自動運転の本格運用に向けて、高速センサーネットワーク、大容量高速データストレージ、高機能エッジコンピューテイングなどの情報サービス基盤を支える半導体デバイスの開発はパッケージの変革と一体化しています。
 2018年はGlobal Foundriesが7nmノードの微細化プロセス技術開発の中止を発表し、IBMの計算機事業計画に大きな影響を及ぼしました。また、年後半にはAMDやIntelが機能を分割した複数のチップをメモリ等の異種チップと共にSiインタポーザ上やSiPの中に集積することによりデバイス機能を発現させる ”chiplet” 構造の製品化を発表し、最先端の微細化プロセス技術に頼らずに半導体デバイスの付加価値を創出する流れが本格化しつつあります。最近の半導体パッケージの役割は、素子の耐環境保護や信頼性保証だけでなく、ム-ア則を補完するデバイス性能向上への寄与や異種デバイス・電子部品の集積によるモジュール化へ拡張しつつあります。
 半導体デバイスの単体パッケージとそれらを集積するモジュールという従来の階層構造が崩れ始めた最近の状況を踏まえ、本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるマイクロバンプ、再配線、FOWLPのプロセスの基礎のおさらい、三次元集積化、再配線の微細化、FOPLPへの拡張の課題の論点整理、今後の市場動向と技術動向について解説いたします。従来のパッケージ技術の延命路線から決別し、新しい価値創出のために様々な取り組みを実践されている参加者の皆様其々のご活躍される分野で今後の進むべき方向を議論する切っ掛けとなれば幸いです。


【プログラム】


1. 中間領域プロセスによる付加価値創出
 1-1. 中間領域プロセスの位置付け
 1-2. 量産化製品事例紹介


2. 三次元集積化プロセス
 2-1. 広帯域メモリチップ上のロジックチップ積層
 2-2. RDL及びマイクロバンプ形成プロセスの基礎と留意点
 2-3. チップ積層プロセスとその留意点
 2-4. 微少量半田接合部の信頼性について
 2-5. RDL微細化の課題(絶縁被覆膜材料と配線信頼性について)


3. Fan-Out WLP
 3-1. WLPの類型分類
  a) Fan-In WLP
  b) Fan-Out WLP (Chip First、RDL First)
 3-2. FOWLPの現状と課題
  a) 再構成基板形成
  b) 材料物性指標
  c) モールド樹脂再構成基板上のRDL形成プロセスの留意点
  d) 不良事例・信頼性評価事例


4. FOPLPの課題
 4-1. 生産性向上の理想と現実
 4-2. 克服すべき課題
  a) 量産ライン構築の文化ギャップ
  b) 角型パネル化に伴う技術課題
 4-3. パネルレベルプロセス開発事例


5. 今後の市場動向、開発動向
 5-1. 最近の開発動向の注目点
 5-2. FOWLP, FOPLPの今後の商流と事業主体


6. まとめ・質疑応答 


【講師】


 江澤 弘和 氏
 東芝メモリ㈱ メモリ事業部 メモリパッケージ開発部 プロセス技術開発主幹


【講師経歴】
 1985年 ㈱東芝入社。半導体材料開発部門を経て、LSIプロセス開発部門に転籍後30年以上に亘り、先端デバイスの微細配線形成開発に従事。並行して、中間領域プロセスによる半導体デバイスの三次元集積化開発に従事。2011年に同社メモリ事業部へ転籍後、TSV、WLP等の中間領域技術を用いたメモリモジュールの製品化開発に従事し、現在に至る。
 1985年 京大院・工・金属加工学専攻(現材料工学専攻・磁性物理学講座)修士修了。
 2015年 早大院・情報生産システム研究科(先進材料研究)工学博士取得。
 2018年4月より神奈川工科大学・工学部電気電子情報工学科非常勤講師(電気電子材料担当)


【本テーマ関連の活動】
 招待講演・論文発表多数。現在、IEEE、日本金属学会に所属。


受講料


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