半導体デバイス製造に用いられる接合技術

セミナー趣旨

　近年、小型、低消費電力、高放熱、高出力などの優れた特性を有する高性能・高機能エレクトロニクスデバイスの実現に、異種材料・異種機能を集積するヘテロジニアス集積技術が重要な役割を果たすと期待され、注目を集めている。ヘテロジニアス集積を実現する重要な要素技術が接合技術である。
　例えば、近年のAIの急速な進展により、AI向けに使用される先端半導体では、半導体の進化（高性能化・低消費電力化）を先端パッケージで担う動きが急速に加速しており、チップレット技術が注目され、ハイブリッドボンディングの開発が進められている。
　また、光信号と電気信号の回路を融合する光電融合技術が低消費電力、高速・低遅延、低損失などの観点から将来のインターコネクト技術として期待が高まっており、光回路と電気回路を集積する技術としてもハイブリッドボンディングが期待されている。
　このような接合技術の技術的な課題の一つは、接合温度の低温化であり、プラズマ活性化接合や表面活性化接合技術が、注目されている。
　本講演では、半導体デバイスを製造する接合技術を概観し、特に低温接合技術に焦点を当て、これらの接合技術の基礎と具体的なデバイスを例に開発動向及び今後の動向を展望する。

受講対象・レベル

これから接合技術を学ぶ方、業務のために接合技術の知識を得たい方、異種材料集積のための低温接合技術に興味をもつ部品・材料メーカの開発者など

習得できる知識

・さまざまな接合技術とその評価技術の基礎知識の習得
・成功事例から学ぶ接合技術の応用について

セミナープログラム

１．はじめに
　　1.1　パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況
２．半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎
　　2.1　直接接合
　　　　（陽極接合、フュージョンボンディング、プラズマ活性化接合、表面活性化接合）
　　2.2　中間層を介した接合
　　　　（はんだ／共晶接合、熱圧着接合、有機接着剤、フリットガラス接合）
３．低温接合プロセスの基礎
　　3.1　表面活性化接合による半導体の直接接合
　　　3.1.1　Ge–Ge接合
　　　3.1.2　GaAs–SiC接合
　　3.2　中間層を介した低温接合
　　　3.2.1　Auを介した大気中での表面活性化接合
　　　3.2.2　Ti–Ti表面活性化接合
　　　3.2.3　SnAgCuはんだを介した接合
　　　3.2.4　ポリシラザンを介した接合
　　　3.2.5　ハイブリッドボンディング
４．接合面の平滑化　
５．おわりに

キーワード：
半導体,パッケージ,LSI,接着,接合,WEBセミナー,オンライン

セミナー講師

東北大学　大学院工学研究科電子工学専攻
教授　博士（工学）　日暮 栄治　氏
【専門】
電子デバイスおよび電子機器関連
【活動】
一般社団法人エレクトロニクス実装学会 会長, 2025年5月～現在
IEEE Electronics Packaging Society (EPS), Board of Governors, 2024年1月～現在
一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA), シーンオリエンテッド先端実装技術分科会委員長, 2025年4月～現在
一般社団法人電子実装工学研究所(IMSI), 理事, 2016年6月～現在

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ 非会員の方は1名につき49,500円（税込み）です。
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　★1名で申込の場合、46,200円（税込）に割引になります。
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主催者

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