ドライプロセス微細化の限界を突破するクライオプラズマエッチング

セミナー趣旨

　半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化（スケーリング）が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオプラズマエッチング（cryogenic plasma etching）が注目されている。
　本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。

受講対象・レベル

　半導体装置メーカー、半導体製造の研究開発・生産製造に携わる方（初心者から中級者まで）

習得できる知識

　プラズマプロセス分野以外の方でも理解しやすいよう、ドライエッチングの基礎原理と知識から解説する。ドライプロセスの要件を理解することより、高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用を説明する。最後、クライオエッチングの反応メカニズムと最新動向を紹介する。

セミナープログラム

１．エッチング加工とは
　1-1　等方性エッチング
　1-2　異方性エッチング

２．ドライプロセスエッチング
　2-1　低温プラズマの基礎原理と知識
　2-2　プラズマエッチングと装置
　2-3　プラズマエッチングメカニズム
　2-4　高アスペクトエッチング

３．クライオエッチング 
　3-1　クライオエッチングとは
　3-2　クライオエッチングの基礎原理
　3-3　クライオエッチングの応用例

４．クライオエッチングによる高アスペクト比加工
　4-1　クライオシリコン深掘エッチング
　4-2　クライオチャネルホール深掘エッチング

５．クライオエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
　5-1　クライオエッチングにおける気相反応
　5-2　クライオエッチングにおける表面反応
　5-3　クライオ原子層エッチング

--- 質疑応答 ---

キーワード：
プラズマ,ドライ,エッチング,クライオ,極低温,半導体,デバイス,講座,研修,セミナー

セミナー講師

名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター　特任教授　博士（工学）　蕭 世男　氏

《専門》
　プラズマエッチング、プラズマ計測、材料科学

《略歴》
　2011年3月　　逢甲大学(台湾)　材料科学学科　卒業
　2011年4月　　国立放射光研究センター　入社　研究員
　2014年7月　　国立放射光研究センター　退社
　2014年8月　　国立清華大学　入社　研究員
　2015年8月　　国立清華大学　退社
　2015年9月　　Globe Union Industrial Cooperation　入社 研究員
　2018年9月　　Globe Union Industrial Cooperation　退社
　2019年10月　名古屋大学　工学研究科附属プラズマナノ工学研究センター 非常勤特任准教授
　2020年4月　　名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター　特任准教授
　2023年9月〜　名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター　特任教授

《活動等》
　Elsevier Journal:　Materials Chemistry and Physics、 Editor　（2024年～）
　Elsevier Journal: Surface Coating & Technology、 Guest Editor（2026～2027年）

セミナー受講料

44,000円（税込、資料付）
■ 非会員の方は1名につき44,000円（税込み）です。
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　★1名で申込の場合、39,600円（税込）に割引になります。
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