プラズマエッチングのプロセス制御とプラズマダメージの発生機構、抑制

　プラズマエッチングの原理、装置、メカニズム、
　トラブル対策まで、経験豊富な講師が徹底解説！

講師

１． (株)日立製作所　研究開発グループ　エレクトロニクスイノベーションセンタ
         　ナノプロセス研究部　主任研究員　篠田 和典 氏

２． 京都大学　大学院工学研究科　航空宇宙工学専攻　教授　博士(工学)　江利口 浩二 氏

受講料

1名につき55，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）　
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50，000円（税抜）〕

プログラム

＜１０：００〜１４：００＞※途中、昼食休憩含む
１．プラズマエッチングの最新技術動向とプロセス制御
講師 (株)日立製作所　篠田 和典 氏　

プログラム

【講演概要】
　プラズマエッチングは、フィン型電界効果トランジスタなどの先端半導体デバイスを
製造する上で、必要不可欠な技術である。モノのインターネット(IoT)の普及により、
データ処理を担う半導体デバイスの更なる性能向上が求められており、デバイス構造の微細化と
三次元化が進んでいる。これに伴ってプラズマエッチングには、原子層レベルの制御性が求められている。
　次世代の三次元デバイスでは、深さ方向の高制御加工に加え、横方向の高制御加工も必要となる。
　本講演では、プラズマエッチング技術について、エッチングの原理から、技術動向、
装置、プロセス制御、そして最先端の原子層エッチング開発事例までを、メーカで各種デバイスの
エッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説する。

１．半導体デバイスの動向、構造、および製造工程
　1.1 半導体デバイスの技術動向
　1.2 半導体デバイスの構造
　1.3 半導体デバイスの製造工程

２．プラズマエッチング技術の動向
　2.1 プラズマエッチングの種類
　2.2 プラズマエッチングの技術動向
　2.3 プラズマエッチングの先端課題

３．プラズマエッチングの基礎及びプロセス制御
　3.1 プラズマエッチング装置
　3.2 プラズマエッチングの特徴
　3.3 プラズマエッチングの原理
　3.4 プラズマエッチングにおけるプロセス制御
　3.5 プラズマエッチング損傷
　3.6 各種材料のプラズマエッチング技術

４．原子層エッチングの基礎と最新技術
　4.1 原子層加工技術のトレンド
　4.2 原子層エッチングの基礎
　4.3 等方性原子層エッチング
　4.4 異方性原子層エッチング

５．今後の課題

【質疑応答・個別質問・名刺交換】

＜１４：１５〜１７：００＞
２．プラズマエッチングにおけるプラズマダメージの発生機構と制御
講師 京都大学　江利口 浩二 氏 　

【講座概要】
　企業などでプラズマエッチングに関する研究開発を始めた方、
プロセス設計に従事されている方、デバイス信頼性評価に従事されている方などを対象とし、
プラズマの基礎から、最先端プラズマプロセスにおける大きな課題「プラズマ誘起ダメージの
発生機構」とその抑制についてお話します。
　大学で理系科目を習得していれば特に問題なく理解できると思います。また、講師の企業、
大学での勤務経験をもとに、エンジニアとして何が大切か？どうすればいいのか？を
伝えたいと思います。

１．プラズマエッチングとは
　1.1 現代社会におけるプラズマ技術の応用例
　1.2 プラズマを理解するためのパラメータ
　1.3 超微細半導体デバイス製造におけるプラズマエッチングの役割
　1.4 プラズマエッチングの基礎（反応表面の構造について）

２．プラズマエッチングにおける技術課題について
　2.1 加工形状異常に代表される課題例
　2.2 新しい課題〜プラズマ誘起ダメージ

３．プラズマ誘起ダメージについて
　3.1 ３つのダメージ発生機構とプラズマ誘起ダメージの歴史
　3.2 イオン衝撃によるプラズマ誘起ダメージモデル

４．今後の展望
　4.1 原子レベルでのプラズマ誘起ダメージの理解に向けて
　4.2 プラズマ誘起ダメージは今後どうなるのか？

【質疑応答・個別質問・名刺交換】