【中止】自動車用に向けたパワー半導体におけるパッケージ技術~接合・接続・封止・高信頼性化・高耐熱化・高放熱化~<パワー半導体パッケージコース>

パワー半導体のパッケージ技術全般から、
さらにEV/HEVへの適用に焦点をあて、
小型化・高信頼性化を実現する同技術について詳解!


※このページは、2/28 「パワー半導体パッケージコース」のページです

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  → 3/16 自動車電動化に向けた、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 <最新動向コース>
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  → 2/28と3/16 <2日間>自動車電動化に向けた!パワー半導体パッケージ技術とSiC・GaNパワーデバイスの最新動向
★ 好評 第4回!自動車(EV/HEV)への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術を解説!
★ 大電力・高耐圧を扱うパワー半導体の実装技術(接合・封止・絶縁・放熱技術)および信頼性技術を学びます!

セミナー趣旨

 最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境対策や電力消費削減対策に貢献する技術であり、我が国が世界をリードできる分野である。本セミナーでは、パワー半導体のパッケージ技術全般から、さらに自動車(EV/HEV)への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術について詳細に述べる。また、次世代パワー半導体として注目されているSiCについても紹介する。

習得できる知識

大電力・高耐圧を扱うパワー半導体の実装技術(接合・封止・絶縁・放熱技術)および信頼性技術。
また、パワーエレクトロニクスと半導体の関係などの知識。

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクスとパワー半導体
 1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
 1.2 パワーエレクトロニクス機器の要求性能
 1.3 パワー半導体を取り巻く環境

2.パワー半導体モジュールの実装技術
 2.1 パワー半導体モジュールの構造と機能
 2.2 パワー半導体モジュールに対する要求性能
 2.3 WBG半導体の動向

3.パワー半導体モジュールのパッケージ技術
 3.1 接合技術
 3.2 接続技術
 3.3 封止技術
 3.4 絶縁技術
 3.5 放熱技術

4.信頼性
 4.1 モジュールの破壊メカニズム
 4.2 高信頼性化の取組み事例

5.まとめ
  □質疑応答・名刺交換□

セミナー講師

富士電機(株) 電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部 SiCモジュール課 主査 両角 朗 氏
【専門】
産業用・車載用パワー半導体モジュールの研究開発・設計に従事。現在、SiCモジュールの設計開発を担当。

セミナー受講料

49,500円( S&T会員受講料47,020円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。
詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともS&T会員登録必須/1名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。


※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

開催日時


10:30

受講料

49,500円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込 または、当日現金でのお支払い

開催場所

東京都

MAP

【大田区】東京流通センター

【モノレール】流通センター駅

主催者

キーワード

半導体技術   電子デバイス・部品   自動車技術

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