プロセスプラズマの基礎と応用技術

プロセスガスの物理的性質、ガス解離過程と反応、
ガス種選択とレシピ構成、ダメージレスエッチング技術 等

★ プロセスプラズマの理解を深めるセミナー！ ガス解離過程からガス種選択とレシピ構成が見えてきます！

講師

名古屋大学 プラズマナノ工学研究センター　客員教授　理学博士　林 俊雄 先生

【講師紹介】
元（株）アルバック
・研究部門にて、MOCVD装置開発、リークディテクター分析管の開発、NLDエッチング装置の開発、RF印加基板入射イオンエネルギー分析装置の開発、プラズマ中負イオンの測定装置開発、等に従事。

2006年1月　名古屋大学・プラズマナノ工学研究センター　特任教授
・NO+F2によるSiのガスエッチング技術開発(XeF2の代替技術、特許取得)、RF印加基板から発生する負イオン測定、Chemical dry etching(CDE)技術についての解析、計算化学によるプロセスガスの解離過程解析、に従事。

2016年4月　名古屋大学・プラズマナノ工学研究センター　客員教授
・計算化学によるプロセスガスの解離過程解析(継続)

受講料

1名41,040円(税込（消費税8％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合 、1名につき30,240円
＊学校法人割引 ；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

セミナーポイント

 『これからプロセスプラズマに携わる人』及び『プロセスプラズマをより深く知りたい人』、『プロセスガスの開発に携わっている人』に分かり易く、プロセスプラズマの基本的な物理量、シースとその役割、プロセスガス及び生成物の蒸気圧・発生量等について述べ、プロセスプラズマについてより深い理解を持って頂くよう解説する。
　さらに、プロセスガスの解離過程について、特に計算化学で得られる情報について解説しプロセスレシピとガス混合比について考察する。
　また、今後に必要とされるダメージレスエッチング技術について、CDEを含めて議論する。

■ この講座を受講して得られる情報・知見：
・プラズマの基礎
・プロセスプラズマの基礎物理量
・プロセスガスの物理的性質
・プロセスガスの電子物性と解離→ガス種選択とレシピ構成
・気相反応と表面反応についての考察

セミナー内容

1.はじめに

2.プロセスプラズマの基礎
　・分子数密度
　・電子密度
　・正負イオン密度
　・電子温度
　・イオン温度
　・基板入射フラックス量とプロセス速度
　・生成物の量の見積もり
　・導入ガス・生成ガスの蒸気圧　等

3.RFシースの役割とイオンエネルギー
　・RFシースとは何か
　・RFシース内のイオン挙動
　・RFシースと電子挙動
　・陰極基板電位発生のメカニズム
　・RFシース内での電荷交換
　・基板入射イオンのエネルギー分布とRF周波数との関係
　・基板入射イオンエネルギーの目安はVppあるいはVdc?

4.低圧プラズマとCDEの相違
　・気相中での化学反応をどう考えるか
　・気相反応と表面反応

5.気相中のガス解離過程と反応
　・電子温度とプロセスガス解離との相関
　・ガス解離過程と反応

6.プロセスガスの解離過程とレシピ構成
　・解離過程からわかるガス種選択
　・ガス解離過程が分かればレシピ構成の方向が見える

7.今後の方向について
 
 ＜質疑応答＞