構造、製造技術、用途展開などパワーデバイスの知識を包括的に!
Siの優位性や将来展望からSiC,GaN,Ga2O3といった
新規パワーデバイス材料の現状と課題について徹底解説!

セミナー趣旨

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。
 しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

受講対象・レベル

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者                
※初学者の方でも大丈夫です

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造 
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と将来展望
・SiC,GaN,Ga2O3の新規パワーデバイスの克服すべき課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造 
  1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造 
  1.2 パワーデバイスの用途と産業構造  
 
2.パワーデバイスの構造と高性能化                              2.1 パワーデバイスの構造と要求性能 
  2.2 Siパワーデバイスの高性能化 
  2.3 ワイドギャップ半導体の優位性

3.Siパワーデバイスの課題    
  3.1 Siウエハの300mm化 
  3.2 微量不純物の制御 

4.SiCパワーデバイスの課題
  4.1 SiC結晶およびパワーチップ製造の課題 
  4.2 パワーモジュールの高温化

5.GaNパワーデバイスの課題
  5.1 横型GaNパワーデバイスの課題
  5.2 縦型GaNパワーデバイスの課題

6.Ga2O3パワーデバイスの課題 
  6.1 α- Ga2O3パワーデバイスの課題
  6.2 β- Ga2O3パワーデバイスの課題

7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
  7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
  7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

  □質疑応答・名刺交換□

セミナー講師

千葉工業大学 工学部 教授 山本 秀和 氏
【専門】
半導体デバイス、半導体結晶   

セミナー受講料

49,500円( S&T会員受講料47,020円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。
詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともS&T会員登録必須/1名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。


※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

開催日時


10:30

受講料

49,500円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込 または、当日現金でのお支払い

開催場所

東京都

MAP

【大田区】大田区産業プラザ(PiO)

【京急】京急蒲田駅

主催者

キーワード

電子デバイス・部品   半導体技術

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