誰でもわかる！半導体デバイスの製造工程入門

セミナー趣旨

　半導体の製造工程は、シリコンウエハ上にデバイスを作りこんでいく前工程、個々のチップに個片化してパッケージ化する後工程に分けられます。
　本セミナーでは、ウエハ製造方法からウエハ上の前工程、パッケージングによるＬＳＩの最終製品までの後工程まで、一連の製造フローを紹介し、それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点をわかりやすく解説していきます。また、近年では、前工程ではFinFETや３DNAND、後工程ではFOWLPやCoWoS、チップレットなどの新しい技術が次々と製品化されていますが、これらの技術・方式についても触れ、各製造工程に与える影響についても解説します。

セミナープログラム

1.はじめに
　1-1　シリコンウエハの製造方法
　1-2　前工程と後工程とは　
　1-3　トランジスタの基礎
　1-4　半導体デバイスの種類

2.前工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向、問題点等～
　2-1　デバイス構造作製の基礎～成膜とパターニング
　2-2　酸化・成膜
　　・酸化
　　・CVD
　　・PVD
　　・めっき
　2-3　イオン注入
　2-4　リソグラフィー
　　・レジストコーティング
　　・露光
　　・現像
　2-5　エッチング
　　・ウエットエッチング
　　・プラズマエッチング
　　・RIE
　2-6　CMP
　2-7　洗浄
　2-8　検査装置

3.半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロー
　3-1　STI
　3-2　トランジスタ
　3-3　配線

4.パッケージの種類とその構造・特徴および技術動向
　4-1　リードフレームを用いるパッケージ
　　　　～DIP、QFP
　4-2　パッケージ基板を用いるパッケージ
　　　　～P-BGA、FCBGA
　4-3　ウエハレベルパッケージ
　　　　～WLCSP、FOWLP
　4-4　最新技術動向
　　　　～CoWoS、チップレット

5.後工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向等～
　5-1　裏面研削
　5-2　ダイシング
　5-3　ダイボンディング
　5-4　ワイヤボンディング
　5-5　モールド
　5-6　バンプ形成

【質疑応答　名刺交換】

セミナー講師

(株)ISTL　代表取締役　博士(工学)　礒部 晶 氏
【ご経歴】
1984　京都大学工学部原子核工学科修士課程修了
　1984-2002　NECにてLSI多層配線プロセス開発
　2002-2006　東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
　2006-20013　ニッタハースにてテクニカルサポートセンター長等
　2013-2015　(株)ディスコにて新規事業開発
　2015-　(株)ISTL代表

セミナー受講料

【1名の場合】39,600円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。