ＣＭＰ技術およびその最適なプロセスを実現するための総合知識

ＣＭＰ装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、
応用プロセス、研磨メカニズム

■ ＣＭＰの基礎知識、メカニズム
■ スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価
■ デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
■ ＣＭＰ材料除去メカニズムの変遷と最新モデル

★ 半導体デバイス製造において、今やなくてはならないキープロセスの全貌 
★ スラリーの基礎・評価、パッドの役割と開発のヒントを提示 
★ より最適なＣＭＰ工程を実現するために 
★ 研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して

セミナー講師

(株)ＩＳＴＬ　代表取締役社長　博士（工学） 礒部 晶 氏
  ※ 元 ＮＥＣ／東京精密／ニッタハース／ディスコ

【略歴】
 1984年－2002年　ＮＥＣにてＬＳＩ多層配線プロセス開発
 2002年－2006年　東京精密(株)にて執行役員ＣＭＰグループリーダー
 2006年－2013年　ニッタハースにて研究開発ＧＭ
 2013年－2015年　(株)ディスコにて新規事業開発
 2015- (株)ＩＳＴＬ

受講料

48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)

S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須​／１名あたり定価半額24,300円)  

【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

得られる知識

・ＣＭＰに関わるあらゆる基礎知識～
　装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
　材料・プロセス評価技術
　デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
・ＣＭＰ材料除去メカニズムの変遷と最新モデル

キーワード:ＣＭＰ研磨パッド、スラリー、ＥＰＤ、研磨ヘッド、ＦｉｎＦＥＴ、
　ＣｕＣＭＰ、シリコンウエハ、サファイア、ＳｉＣ

セミナー趣旨

　ＣＭＰがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたＣＭＰも今やなくてはならないキープロセスとなっている。
　半導体デバイス製造における様々なＣＭＰ工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、ＣＭＰによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

セミナー講演内容

１．ＣＭＰ装置
　1.1 ＣＭＰ装置の構成
　1.2 ヘッド構造
　1.3 終点検出技術
　1.4 ＡＰＣ
　1.5 洗浄

２．ＣＭＰによる平坦化
　2.1 ＣＭＰによる平坦化工程の分類
　2.2 平坦化メカニズム

３．ＣＭＰ消耗材料
　3.1 各種スラリーの基礎
　3.2 砥粒の変遷
　3.3 添加剤の役割
　3.4 スラリーの評価方法
　3.5 研磨パッドの基礎
　3.6 研磨パッドの評価方法
　3.7 コンディショナーの役割

４．ＣＭＰの応用
　4.1 最新配線構造とＣＭＰの詳細
　4.2 最新のトランジスタ構造とＣＭＰ
　4.3 ３ＤＮＡＮＤにおけるＣＭＰ
　4.4 ウエハ接合技術とＣＭＰ
　4.5 各種基板ＣＭＰ

５．ＣＭＰの材料除去メカニズム
　5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
　5.2 新しいモデル～Ｆｅｒｅｔ径モデル
　5.3 Ｆｅｒｅｔ径モデルの数値検証
　5.4 Ｆｅｒｅｔ径モデルに基づく開発のヒント
　5.5 パッド表面状態のマクロモデルによるドレス効果の表現

まとめ

 □ 質疑応答 □