【中止】原子層制御プロセスの原理・最適設計および最新動向～反応機構、プロセス最適化、薄膜作製、エッチング～

セミナー趣旨

原子層成長（ALD）プロセスは、半導体集積回路用薄膜の作製などに実用化され、その応用範囲が拡大している。また、近年は１原子層ずつ表面をエッチングするALEにも関心が高まっている。これらを組み合わせた選択成長技術は、プロセス工数の削減などに有益であると期待されている。一方、ALDは類似の薄膜作製プロセスであるCVD（Chemical Vapor Deposition）と比べると、ガス濃度や反応温度の他に、ガス供給切替シーケンスの最適化など、制御パラメータが多く、どのようにプロセスを最適化するかが難しくなっている。本講座では、ALDとALEを併せて原子層制御プロセス（ALP）と総称し、その原理から最適化に至るまでのプロセスサイエンスの概論を述べるとともに、最新の技術動向なども紹介する。

習得できる知識

原子層成長（ALD、Atomic Layer Deposition）および原子層エッチング（ALE、Atomic Layer Etching）、さらには、これらを組み合わせた高度な選択成長技術（Selective Area ALD）などの原子層制御プロセス（ALP、Atomic Layer Process）について、その特徴ならびに応用用途などを概説する。また、反応機構などの原理に基づき、プロセス最適化手法などを学ぶ。

セミナープログラム

１．薄膜作製の基礎
　1.1 薄膜作製プロセス概論
　1.2 真空の基礎知識と薄膜形成基礎
　1.3 CVD/ALD/ALEプロセスの原理・応用・歴史的展開

２．CVD/ALDプロセスの反応機構と速度論
　2.1 CVD/ALDプロセス入門
　2.2 CVD/ALDプロセス速度論
　2.3 反応機構解析手法

３．ALD/ALEプロセスの基礎と応用
　3.1 ALD/ALEプロセスの基本特性
　3.2 ALDプロセスの理想と現実
　3.3 ALDプロセスの応用展開
　3.4 ALEを活用した選択成長
【質疑応答・個別質問・名刺交換】

セミナー講師

東京大学　大学院工学系研究科　マテリアル工学専攻　教授　博士(工学)　霜垣 幸浩 氏

セミナー受講料

1名につき50，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき45，000円（税抜）〕