半導体プロセスにおけるウェット技術（洗浄・研磨）の基礎と極限計測＜東京会場セミナー＞

セミナー趣旨

  今日、半導体デバイスの集積化・微細化は極限レベルに達しつつあります。高い性能や信頼性を持つ半導体デバイスを製造し続けるためには、基板となる半導体の表面状態（汚染や構造）を原子・分子レベルで高度に制御する必要があります。純水や薬液をベースとしたウェット技術は、高品質の半導体表面を安定的に実現する上で、欠かすことができない基盤技術であり、その重要性は益々増しています。
  本講義では、シリコン（Si）及び半導体新材料を対象としたウェット技術（洗浄、研磨、加工）を概説すると共に、プロセスの性能向上に不可欠な、半導体表面の極限レベルでの計測・評価手法について紹介します。奮ってご参加下さい！

セミナープログラム

1．はじめに：半導体基板・デバイスの近年の概況
   1.1 半導体素子寸法の変遷
　1.2 半導体素子とＳｉウエハ
　1.3 半導体素子の基本構造
　1.4 半導体デバイスの性能に影響を与える基板表面の諸特性
　1.5 表面汚染の制御に関する国際技術ロードマップ
2．半導体表面におけるウェットプロセス
   2.1 Si表面の研磨技術（Chemical Mechanical Polishing：CMP）
　2.2 Si表面の洗浄技術
　　2.2.1 ウェット洗浄とドライ洗浄
　　2.2.2 RCA洗浄
　　2.2.3 洗浄液による汚染除去のメカニズム
　　2.2.4 RCA洗浄からの脱却を目指す新ウェット洗浄の開発状況
　2.3 クリーンルーム技術
　2.4 Si以外の半導体材料（GaAs, SiC, GaNなど）の特長と適用領域
3．ウェットプロセスを経た半導体表面の分析・評価法の基礎
   3.1 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
　3.2 ナノスケールの表面構造が観察できる測定技術
　　3.2.1 赤外吸収分光法
　　3.2.2 走査型プローブ顕微鏡
　3.3 表面形状を観察するための測定技術（光干渉法）
　3.4 半導体表面上の薄膜評価技術
　　3.4.1 X線光電子分光法
　　3.4.2 表面濡れ特性
4．ウェットプロセス（研磨・洗浄）を経たH終端化Si表面の極限レベル構造評価
　4.1 Si表面の面方位と原子構造
　4.2 フッ酸浸漬後のH終端化Si(111)表面の原子構造
　4.3 フッ酸浸漬後のH終端化Si(100)表面の原子構造
　4.4 超純水リンスがH終端化Si(100)表面の原子構造に与える影響
　4.5 ウェットプロセスによるSi(110)表面の原子構造制御
5．新しい半導体表面のウェット加工法：金属アシストエッチング
　5.1 一般的なエッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）
　5.2 金属アシストエッチングの開発の歴史
　5.3 金属アシストエッチングの特徴、及び、他エッチング手法との比較
　5.4 金属アシストエッチングの加工特性と原理
　5.5 電子・光学デバイス分野への金属アシストエッチングの応用展開例
6．ウェットプロセスを経た半導体表面の極限計測に関する先端事例
　6.1 超精密加工を施した半導体表面（Si、Ge、SiC）の原子レベル構造観察
　6.2 低真空型X線光電子分光法による半導体表面上の吸着水分子層の観測
＜質疑応答・名刺交換・個別相談＞

セミナー講師

 有馬 健太 先生   大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 准教授 博士（工学）

セミナー受講料

1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

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• 新型コロナウイルスの感染防止の一環として当面の間、昼食の提供サービスは中止させて頂きます。
• 配布資料は、当日セミナー会場でのお渡しとなります。
• 希望者は講師との名刺交換が可能です。
• 録音・録画行為は固くお断り致します。
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