限界まで進化する半導体微細化の技術動向と新たな情報担体デバイスの展望および材料・技術への波及予測【オンデマンド配信】

セミナー趣旨

　ロジックLSIやDRAM, NAND Flashなどへの応用に向けた先端LSI向けデバイス技術について、デバイス動作の基礎から、限界まで進化する半導体微細化の技術動向と、さらに、新たな情報担体デバイスの展望および材料・技術への波及予測について紹介する。

受講対象・レベル

• 半導体製造装置や関連部品・材料の研究・開発・技術者及び技術企画担当者など
• 革新的な次世代の情報デバイスに使用される材料や技術に関心のある技術者・技術企画者・経営者など

セミナープログラム

1. 微細化技術基礎(FinFETまで)
   1. MOSFETの基本動作
   2. CMOS構造・回路・レイアウト
   3. 微細化による高速化、低消費電力化、集積化、低コスト化
   4. 極微細MOSFETの評価方法
   5. ムーアの法則とスケーリング、微細化の限
   6. トランジスタの進歩：新材料領域へ 
   7. FinFET技術の動向 Intel,Samsung,TSMC など
       ［overlay,SADP,EUV,SDB,Dual CPP など］
   8. FinFETを用いたLSI
2. 微細化技術最新動向
   iedmやISSCC、IEEE、SSDMでの発表や講師の研究成果について、プロセス工数・コストの見解なども含めながら
   プロセス・材料の動向や課題、展望などの見解を紹介。
   1. NS（ナノシート）構造
      • Intel,Samsung,TSMC,IBM imec など
      • MBCFET（Multi-bridge channel to enlarge）
      • Gate-all-around (GAA) nano-sheet
   2. 積層FET/3D Stacked
   3. 2D FET/2Dマテリアル
3. 将来技術
   1. 情報担体への横展開
      • DRAM（HBM、GDDR6)
      • NAND Flash
      • Phase Change Memory (PCM)
      • Resistive RAM (RRAM, ReRAM),
      • Magnetic RAM (MRAM)
      • Ferroelectric RAM (FRAM, FeRAM)
      • 新規メモリの比較：特徴を生かした市場を形成
      • イメージセンサ、パッケージ/LMC、チップレット、光トランシーバ、6G、量子プロセッサー
      • 集積回路技術のさらなる発展
   2. 業界動向

キーワード：ISSCC 2022/ iedm2021/ SSDM2021/ IEEE

セミナー講師

セミナー受講料

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受講について

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