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各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題
全国49,5002024-04-18
横型GaNの性能と縦型GaNの実用化に向けた開発動向
次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説!
横型GaNデバイスの性能や課題から縦型GaNデバイスの開発動向と今後の展望とは・・・
セミナー趣旨
近年僅々の課題となっている脱炭素社会を目指すに当たって、高効率な電力制御は開発すべき大きなテーマとなっています。そのためには現状を大幅に超える高効率パワーデバイスの開発が必須の課題となっています。GaNは有力な次世代パワーデバイス候補として認識され、開発が行われている。本講演では、パワーエレクトロニクス、パワーデバイスの基礎から説き起こし、なぜGaNパワーデバイスを開発するのか説明する。そして、現在市場に出始めている横型GaNパワーデバイスの性能、そして、開発途上の縦型GaNパワーデバイスの開発状況を詳しく説明する。
受講対象・レベル
- 電気回路技術者、半導体デバイス開発にかかわる技術者で、パワーエレクトロニクスの基礎およびデバイス開発の現状を学びたい方。
- 予備知識は特に必要ありません。
習得できる知識
- パワーエレクトロニクスの必要性
- パワーデバイスの動作
- パワーデバイスの現状および課題
- 新規材料の必要性
- GaNの特徴
- GaNパワーデバイスの現状および開発状況
セミナープログラム
- パワーエレクトロニクスとパワーデバイス
- パワーデバイスの基礎
- Siパワーデバイスの現状
- ワイドバンドギャップ半導体デバイス
- 各種パワーデバイス材料の特徴
- GaNパワーデバイス
- GaNの物理的性質
- 横型GaNパワーデバイス
- 特徴と課題
- 電流子ラプス
- ノーマリオフ
- 実用化デバイスの性能
- 応用例
- 縦型GaNパワーデバイス
- 特徴と開発の歴史
- 作製プロセスの課題と現状
- ドリフト層エピタキシャル成長
- ゲート絶縁膜
- イオン注入
- GaN基板
- 開発例
- 期待される応用
- まとめ
□ 質疑応答 □
セミナー講師
名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 特任教授 加地 徹 氏
セミナー受講料
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44,000円( E-mail案内登録価格41,800円 )
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※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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1名申込みの場合:35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
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