【中止】プラズマ/電気化学加工プロセスを用いたナノレベル精度のダメージフリー超精密加工技術

セミナー趣旨

  超高精度な非球面光学素子や金型の作製、あるいは電子デバイス形成用の単結晶SiC、SOIウエハ、水晶ウエハ等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ再現性の高いナノメータレベルの形状創成能力が要求されます。しかしながら、従来の機械加工法では脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、工具が接触する加工であるため、外部からの振動や熱変形等の影響により加工特性が変化するという、いわゆる母性原理に支配されるため、ナノメータレベルの加工精度を恒常的に達成することは極めて困難です。これらの問題を解決するために、大気圧プラズマを局所的に発生させて滞留時間制御によって形状創成を行う、プラズマCVM（Chemical Vaporization Machining: CVM）といった新しい加工法が提案されています。これらの加工法は化学的な無歪加工であるため材料物性を損なうことがなく、加工量は加工ヘッドの滞留時間によりナノメータレベルの精度で正確に制御できます。また最近では、大気圧プラズマの照射と固定砥粒加工とを複合したプラズマ援用研磨法（Plasma Assisted Polishing: PAP）、ならびにスラリーを用いない電気化学機械研磨法（Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP）が提案され、単結晶ダイヤモンド基板や単結晶SiCウエハに対してスクラッチフリーかつダメージフリーな表面を高能率に得ることが可能になってきました。本講座では、ナノメータ精度のものづくりを安価に実現する上で有用な、プラズマならびに電気化学加工プロセスを用いた新しい加工法の原理とその応用例、ならびにこれらの加工法を活かす上で必要な知識に関して紹介します。

受講対象・レベル

・光学素子メーカー、半導体・電子材料メーカーの加工技術者
・石英ガラス製の高精度ミラー・レンズ・平面基板
・SOI、SOSウエハ
・水晶ウエハ
・SiC基板（単結晶、多結晶、焼結体）
・GaN基板
・ダイヤモンド基板
・ファインセラミックス材料

必要な予備知識

精密加工、プラズマプロセスの概要を理解していることが望ましいが、前知識がなくても理解できるように分かり
やすく解説する。

習得できる知識

ナノメータレベルの加工精度をダメージフリーに実現するための最新加工技術、形状計測技術、表面評価技術に
関する知識

セミナープログラム

1．大気圧プラズマ加工
　　1) 大気圧プラズマの物理
　　2) 発光分光計測による大気圧プラズマの診断
　　 　　a) 二線強度比較法、
　　　　　　線スペクトルのシュタルク拡がり測定による電子温度の算出
　　 　　b) アクチノメトトリー法によるラジカル密度の算出
　　 　　c) 発光線のドップラー分布測定、
　　　二原子分子のバンドスペクトル分布測定によるガス温度の算出
　　3) 加工原理
　　4) 加工装置
　　5) 加工特性
　　 　　a) 加工単位
　　 　　b) 材料依存性
　　 　　c) 加工環境
　　 　　d) 表面清浄度

2．加工面の評価法
　　1) 形状、表面粗さ計測
　　 　　a) 非接触光学的手法
　　 　　b) 接触式プローブ法
　　2) 表面物性
　　 　　a) 表面光起電力法（SPV法）による欠陥密度評価
　　 　　b) X線光電子分光（XPS）による組成分析
　　 　　c) 反射高速電子回折（RHEED）による結晶構造解析
　　 　　d) ナノインデンテーション法による表面硬度の測定

3．大気圧プラズマを用いた超精密加工法
　　1) プラズマCVM（Chemical Vaporization Machining）
　　 　　a) 数値制御加工による形状創成の原理
　　 　　b) 長尺X線平面ミラーの作製
　　 　　c) 硬X線集光用楕円面ミラーの作製
　　 　　d) SOIウエハの膜厚均一化とデバイス特性評価
　　 　　e) 水晶ウエハの高精度厚さ均一化加工
　　 　　f) 単結晶ダイヤモンドウエハのダメージフリー加工
　　2) プラズマ援用研磨法（Plasma Assisted Polishing）
　　 　　a) 加工原理
　　 　　b) 4H-SiC（0001）のスクラッチフリー、ダメージフリー研磨
　　 　　c) GaN（0001）のピットフリードライ研磨
　　 　　d) 単結晶ダイヤモンドウエハのダメージフリー研磨
　　 　　e) セラミックス焼結体基板の脱粒フリー研磨

4．陽極酸化を援用したスラリーレス電気化学機械研磨法
　　1) スラリーレス電気化学機械研磨法
　　 　　a) スラリーレス電気化学機械研磨法の原理
　　 　　b) 4H-SiC（0001）の陽極酸化とその評価
　　 　　c) 4H-SiC（0001）のスラリーレス電気化学機械研磨

セミナー講師

 山村 和也 先生   大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻 教授 博士（工学） 　

セミナー受講料

1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円
＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）。
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
  （全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
• 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
  無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

• PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております（20Mbbs以上の回線をご用意下さい）。
  各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
• 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

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