リソグラフィ／ＥＵＶリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と課題解決策および今後の展望

セミナー趣旨

　極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は３０年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。しかしながら、5 nm nodeに向けて多くの課題を抱えています。
　EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

習得できる知識

極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

セミナープログラム

1. はじめに
   1. IoTおよびAIに期待すること
   2. 半導体市場
   3. 半導体国際ロードマップから読み取れること
   4. 半導体微細加工技術の必要性
   5. 今後の半導体技術動向と市場との関係
   6. 今後の半導体技術に期待すること
2. リソグラフィー技術
   1. リソグラフィー技術の変遷
   2. 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
   3. EUVリソグラフィーとは？
      ～EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要～
3. 兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
   1. 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
   2. ニュースバル放射光施設の紹介
4. EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
   1. レジスト材料プロセス技術
   2. マスク欠陥技術
   3. ペリクル技術
   4. EUV用光源技術
5. Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波長化)の可能性
6. 日本の半導体技術の過去、現在、今後
   ～日本の半導体技術の覇権に重要な要素～
7. まとめ

□質疑応答□

セミナー講師

兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 所長・教授　渡邊 健夫　氏

セミナー受講料

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