半導体ドライエッチングの基礎と最新技術

セミナー趣旨

　本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング（RIE）から、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

受講対象・レベル

半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方（初心者から中級者まで）

習得できる知識

・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング（PA-ALE）、熱原子層エッチング（thermal ALE）の特徴と応用

セミナープログラム

1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
　a.容量結合型プラズマ（CCP）装置
　b.誘導結合型プラズマ（ICP）装置
4.反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　a.プラズマ表面相互作用
　b.表面帯電効果
　c.シリコン系材料エッチング反応機構
　d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　e.高アスペクト比（HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　a.熱ALD
　b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
　a.PA-ALE
　b.熱ALE：リガンド交換
　c.熱ALE：金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX)
9.まとめ

＜質疑応答＞

スケジュール
10：30～12：00　講義1
12：00～13：00　昼食
13：00～14：30　講義2
14：30～14：45　休憩
14：45～16：00　講義3
16：00～16：30　質疑応答
※進行によって、多少前後する可能性がございます。
※質問は随時チャット形式で受け付けます。休憩時や終了時に音声でも可能です。

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セミナー講師

大阪大学　工学研究科　アトミックデザイン研究センター
　　　　　　　　　　　　　　　　　教授　理学博士・Ph.D. 　浜口 智志　氏

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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