パワーモジュールの実装・組立技術について詳細に解説!

セミナープログラム

10:00~11:25 

「パワーデバイスの開発動向」 

筑波大学 数理物質系 教授(物理工学域) 博士(工学)
岩室 憲幸 氏 

  1. パワーエレクトロニクス、パワーデバイスとは
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワーデバイスの世界市場
    3. パワー半導体の種類と基本構造
    4. パワーデバイスの適用分野
  2. 最新シリコンIGBTの現状
    1. IGBT特性改善を支える技術
    2. 最先端IGBTの開発
    3. 逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
    4. 進展するIGBTの大口径化
    5. IGBT最新実装技術
  3. 最新SiC-MOSFET の 現状と課題
    1. SiCのSiに対する利点
    2. SiC-MOSFETの解決すべき課題
    3. ゲート酸化膜の形成方法
    4. SiC-MOSFETの技術の進展(微細化)
    5. 最新SiCトレンチMOSFET
    6. 内蔵ダイオード信頼性対策技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. GaNデバイスの構造
    2. GaN-HEMTデバイスの特徴
    3. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
    4. GaN-HEMTの課題
    5. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
  6. まとめ

11:35~12:35

「パワーモジュール向けセラミック基板の開発動向」 

三菱マテリアル株式会社 高機能製品C 電子材料事業部 電子製品部 生産革新室長
大井 宗太郎 氏


12:35~13:15 休憩時間


13:15~15:05

「パワーデバイス向け 低温焼結性銅ナノ粒子の開発動向」 

東北大学 多元物質科学研究所 教授 博士(工学)
蟹江 澄志 氏

本講義では、まず、如何にすれば機能性無機ナノ粒子をサイズ・形態制御しつつ精密に合成できるか、その方法やコツを理解していただきます。ついで、その具体的な手法について紹介することで、無機ナノ粒子の液相合成法や解析法を学んでいただきます。
さらに無機ナノ粒子の液相合成法を、低温焼結性を有する銅ナノ粒子の合成法へ適用した例について紹介します。得られた銅ナノインクは、配線材料およびダイアタッチ材料として優れた性質を示します。一方で、無機ナノインクの現在までの進展を紹介することで、常圧でのデバイス製造に向けたナノインクの実力および可能性について学んでいただきます。


15:15~16:40

「高熱伝導コンポジット材料の開発動向」 

富山県立大学 工学部 機械システム工学科 教授
真田 和昭 氏


※各講演時間に5分程度の質疑応答を含みます。

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授(物理工学域) 博士(工学)
岩室 憲幸 氏 

三菱マテリアル株式会社 高機能製品C 電子材料事業部 電子製品部 生産革新室長
大井 宗太郎 氏

東北大学 多元物質科学研究所 教授 博士(工学)
蟹江 澄志 氏

富山県立大学 工学部 機械システム工学科 教授
真田 和昭 氏

セミナー受講料

1名様 59,400円(税込)
(テキストを含む・事前に送付いたします)


※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

開催日時


9:55

受講料

59,400円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込

開催場所

全国

主催者

キーワード

電子デバイス・部品   無機材料   金属材料

※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

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受講料

59,400円(税込)/人

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全国

主催者

キーワード

電子デバイス・部品   無機材料   金属材料

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