ALDの基礎と原料の開発・選択

注目されるALD法（原子層堆積法）について、基礎から解説！

問題点と対策方法から、低温ALDについて、また今後の発展が期待される
ALE (Atomic Layer Eching) についても解説！

講師

気相成長(株)　代表取締役　理学博士　町田 英明 氏

【ご専門】 LSI配線関連プロセス開発、CVD, ALD, プリカーサー, 有機金属
【ご活躍】 ADMETA委員、Cat-CVD幹事、CVD反応分科会幹事、SKIL理事

受講料

■ R&D会員登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円（税込）から
・1名で申込の場合、47,250円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円（2人目無料）です。

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受講対象・レベル

これからALDを始めようとする技術者やALD原料の開発者、ALDで問題を抱える技術者など

必要な予備知識

自然科学、化学について大学卒業程度の知識

習得できる知識

目的の金属系膜をALDで作製できる。ALDの原料選択が的確になる。

趣旨

　ALD（Atomic Layer Deposition）技術の基礎とALDの原料として用いられる有機金属化合物の一般的特徴。ALD用原料としての揮発可能な原料の開発指針。多種原料の特徴とどれがALDに適しているかを解説する。また、原料の揮発・輸送手段の例とそれぞれの問題点をあげ、その対策法を具体的に紹介する。さらに現在、注目を集めている遷移金属薄膜のALD原料・成膜、ならびに近年盛んになった低温ALDについても触れる。最後に今後の発展が期待されるALE(Atomic Layer Eching)について、ALDの逆工程の応用についても提案する。

プログラム

１．はじめに
　1-1　気相成長原料の過去・現在
　1-2　気相成長技術の採用

２．ALDの基礎
　2-1　化学吸着とALDサイクル
　　a　TMAとH2O
　　b　H2Oと反応しない原料
　　c　ALDサイクルの初期層
　2-2　非化学吸着のよるALDサイクル
　　a　物理吸着とALDサイクル
　　b　問題点 

３．原料の基礎
　3-1　有機金属原料
　　a　有機金属とは
　　b　有機金属の合成法
　　c　有機金属の実用

４．原料の分子設計
　4-1　揮発性
　　a　有機金属結合型
　　b　共有結合性有機金属
　　c　イオン結合性有機金属
　　d　蒸気圧向上法
　　e　蒸気圧測定法
　4-2　低融点
　　a　共有結合とイオン結合
　　b　低融点化
  4-3　分子軌道計算
　　a　分子間力
　　b　成長シミュレーション

５．原料の安全性
　5-1　消防法危険物
　　a　引火性
　　b　発火性
　　c　水との反応性
　　d　爆発性
　5-2　毒性
　　a　急性毒性・慢性毒性
　　b　特に注意すべき原料

６．原料の製造
　6-1　量産性
　6-2　コスト

７．原料の分解
　7-1　熱分解
　　a　自己分解
　　b　雰囲気ガス
  7-2　分解温度の調整
　　a　低温化
　　b　高温化
  7-3　保存安定性
　　a　保存容器
　　b　保存状態
　　c　安定剤

８．原料の揮発・輸送
　8-1　蒸気圧直接供給
　　a　ガス原料
　　b　微差圧駆動MFC
　8-2　キャリアガスバブリング
　　a　液体原料
　　b　溶液原料 --- タイプA, タイプB
　　c　蒸気圧と揮発性
　8-3　ダイレクトリキッドインジェクション
　　a　液体原料
　　b　溶液原料
　8-4　原料の同時供給
　　a　Pre-reaction
　　b　Adduct形成

９．原料各論
　9-1　原料の種類と性質
　　a　タイプA
　　b　タイプB
　9-2　族別原料の性質
　　a　1,2族
　　b　17族

１０．新しいALD状況
　10-1　メタル膜ALD
　　a　ラジカル種を用いたALD
　　b　新原料を用いたALD
   　c　第３成膜種利用
　10-2　アトミックレイヤーエッチング(ALE)
　　a　代表例
　　b　ALEのチャレンジ
　10-3　低温ALD
　　a　TMAによるAl2O3
　　b　他の多量体原料
　　c　各種原料の室温反応性比較

１１．まとめ

 【質疑応答・名刺交換】

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